[实用新型]多晶硅氢还原炉

权利要求书

1、多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壁(1、2)，炉壁(1、2)上安装有视镜(4)，所述视镜(4)包括视镜玻璃(14)和通入还原炉内壁的内空式镜筒(10)，视镜玻璃(14)安装在位于还原炉炉壁之外的镜筒(10)上，镜筒(10)筒壁在靠近视镜玻璃(14)的位置设有水冷结构(17)；炉壁安装在底盘(6)上；底盘(6)上布有进、出气装置，底盘(6)设有加热电极(7)，电极(7)上一一对应安装有硅芯棒(3)，其特征在于：硅芯棒(3)和电极(7)为各18对，即各36个，且在底盘(6)上沿三个同心圆周均布设置，从内圆周向外圆周分别设置为3对、5对、10对；所述内圆周的3对硅芯棒为低电阻率硅芯棒，其余两圆周上为常规电阻率硅芯棒；所述视镜玻璃(14)为单层玻璃结构，视镜玻璃(14)内表面侧的镜筒(10)筒壁上设有两端分别与镜筒(10)外的进气管(11)和镜筒内通道(15)相通的气体通道(13)。

2、根据权利要求1所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于：在镜筒(10)中部的筒壁或位于还原炉内的镜筒(10)筒壁上，也设有至少一个两端分别与镜筒(10)外的进气管(11)和镜筒内通道(15)相通的气体通道(13)；气体通道(13)包括至少一个直通道或斜通道，或至少一个直通道和环形通道，或至少一个斜通道和环形通道。

3、根据权利要求1或2所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于：所述低电阻率硅芯棒为电阻率为0.05-0.1Ω-cm的掺杂硅芯棒；所述掺杂硅芯棒是指先在直拉炉中用常规掺杂方法加入硼或磷而制成电阻率为0.05-0.1Ω-cm的预制棒，再将预制棒在硅芯炉中拉制成为电阻率为0.05-0.1Ω-cm的硅芯棒。

4、根据权利要求1或2所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于：所述常规电阻率硅芯棒是指先在直拉炉中用常规方法制成常规电阻率的预制棒，再将预制棒在硅芯炉中拉制成为常规电阻率的硅芯棒。