[发明专利]高频电流用馈线有效
申请号: | 200780000484.8 | 申请日: | 2007-03-09 |
公开(公告)号: | CN101322198A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 二畠康;冈村幸彦;太田智浩;石桥昭宏;前田裕史;寺里浩一;远藤洋治 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01B7/30 | 分类号: | H01B7/30 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 电流 馈线 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于传送高频电流的馈线。
日本特许公开平5-190026号公报公开了一种多个环形导体中间夹着绝缘层以同心圆形状配置而成的馈线。一般,在传送高频电流的馈线中,若电流的频率变高则会产生集肤效应,因此存在交流电仅仅流在导体表面附近的倾向,其结果,导线的电阻增大,从而损耗显著增大。通常表示集肤效应程度的集肤深度d可以通过下式来表示:
集肤深度:d=(2/ωσμ)1/2
ω:频率;σ:材料的导电率;μ:材料的磁导率。
即,如果馈线的厚度为取决于频率的集肤深度d以下,那么就能够减少集肤效应所导致的电流损耗。因此,在所述现有的馈线中,通过将各环形导体的厚度设为1微米来抑制电流损耗。
但是,这种结构的馈线存在如下的问题:由于需要反复多次在环形导体的表面上包覆绝缘层的工序,所以制造时间变长,另外,环形导体的定位很难。
本发明是鉴于所述问题而作出的,其目的在于,提供一种不仅能够降低高频电流损耗,还能够提高制造效率的高频电流用馈线。
本发明的馈线由导体和包覆该导体的绝缘护套构成。导体形成为单个结构体,而且在垂直于导体长度方向的截面上,导体的一部分与其他部分沿着横切该截面的至少一个方向上分隔开规定间隔。绝缘护套为合成树脂的成型体,所述导体一体形成在所述绝缘护套内。所述导体具有内筒和外筒,所述内筒和所述外筒仅在相互的周长上的一个位置相结合。由此,导体沿着与流过导体的电流所产生的磁通方向垂直的方向上被分割,所以能够降低由集肤 效应导致的电流的损耗,并且通过在树脂成形体的绝缘护套内将单个结构体的导体形成为一体,能够提高制造效率。
优选地,导体在所述截面上形成闭空间,导体的一部分与其他部分被该闭空间分隔开。在此情况下,闭空间没有被绝缘树脂充满,因此该闭空间能够作为馈线的可以插入连接构件的空间来使用。
另外,由于所述内筒和所述外筒仅在相互的周长上的一个位置相结合,这样由内筒和外筒构成导体,既能够使每个筒变薄,又能够提高导体整体的强度。另外,在导体的几乎全周长上,内筒和外筒沿着半径方向相分离,因此在与流过导体的电流所产生的磁通的方向垂直的方向上,可使导体的厚度变薄,进而能够使电流的损耗变得最小。
更进一步,优选地,所述外筒由弧形部和平坦部构成,该弧形部和该平坦部在所述截面上,其轮廓向外侧突出。所述平坦部能够作为与连接构件的接触面来使用,其中该连接构件用于连接馈线,从而能够实现与连接构件的稳定的电连接。
另外,优选地,所述外筒由一对平坦部和一对弧形部构成,在所述截面上,该一对平坦部在直径方向上相互左右对置,该一对弧形部向外侧上下突出。在此情况下,2个平坦部能够作为馈线的与连接构件的接触面,通过使用具有夹持2个平坦部的形状的连接构件,能够实现馈线之间的可靠连接。
优选地,所述导体通过弯曲一块金属板来形成。如此地能够使导体各部分的厚度变薄从而抑制电流损耗,并且能够容易地制作出规定的截面形状。
更进一步,优选地,将所述导体的截面形状在其全周长上,沿着半径方向以规定的间隔分割。在此情况下,沿着半径方向上能够同时排列多个薄厚度的导体的一部分,使得既减少了电流损耗又增大了导体的截面积,从而能够确保较大的电流容量。
图1是表示本发明的第一实施方式的馈线的立体图。
图2是所述馈线的侧视图。
图3是表示所述馈线和馈线的连接器的立体图。
图4是表示所述馈线的连接状态的剖视图。
图5是表示本发明第二实施方式的馈线的立体图。
图6是表示所述馈线的连接状态的正视图。
图7是表示所述馈线的连接状态的剖视图。
图8是表示所述馈线的变形方式的立体图。
图9是表示所述馈线的连接状态的剖视图。
图10是表示本发明第三实施方式的馈线和连接器的立体图。
图11是表示所述馈线的连接状态的正视图。
图12是表示所述馈线的连接状态的剖视图。
图13是表示所述馈线的第一变形方式的立体图。
图14是表示所述馈线的连接状态的剖视图。
图15是表示所述馈线的第二变形方式的立体图。
图16是表示所述馈线的第三变形方式的剖视图。
图17是表示本发明第四实施方式的馈线的立体图。
图18是表示在所述馈线中使用的导体的剖视图。
图19是表示所述导体的第一变形方式的剖视图。
图20是表示所述导体的第二变形方式的剖视图。
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