[发明专利]改善互连叠层中局部气隙形成的控制

权利要求书

1.一种集成电路器件(201)，包含衬底上的互连叠层(200)，该互连叠层包括：

多个互连层面，包含距衬底参考表面最小距离的底部互连层面(256)和距该参考表面最大距离的顶部互连层面(283)，

金属互连线部分(202，204)，平行于参考衬底表面并且在各自的互连层面上的金属间的电介质层部分(220)之间延伸，

上部蚀刻阻挡层(211)，设置在顶部互连层面(283)下方的上部中间互连层面(224)上，并且对于侵蚀金属间的电介质层部分的选择性蚀刻剂是不可渗透的，以及

下部蚀刻阻挡层(236)，设置在上部中间互连层面(224)下方，并且对于所述选择性蚀刻剂是不可渗透的，

其中上部和下部蚀刻阻挡层(211，236)各自包含由横向蚀刻阻挡衬里(246.1，246.2)限定的至少一个蚀刻开口(212，214，238，240)，所述横向蚀刻阻挡衬里(246.1，246.2)从上部蚀刻阻挡层(211)中的蚀刻开口(212)延伸至下部蚀刻阻挡层(236)中的蚀刻开口(238)，并且对于所述选择性蚀刻剂是不可渗透的，并且

其中在一个或更多个互连层面(232)上存在着气隙(248，250，252)，所述气隙(248，250，252)设置在下部蚀刻阻挡层(236)下方。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括用于连接两个相邻的互连层面(232，224)的互连线部分(230，204)的金属通路(226，228)，并且层间电介质层部分(222)平行于参考衬底表面、在金属通路之间以及各自相邻的互连层面之间延伸。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中所述层间电介质层部分(222)由对于所述选择性蚀刻剂不可渗透的材料制成。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中空腔(264，266)在上部和下部蚀刻阻挡层(211，236)中的蚀刻开口(212，238)之间延伸。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述上部和下部蚀刻阻挡层中的蚀刻开口(916，918)填充有电介质材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下部蚀刻阻挡层(236)设置在下部中间互连层面(232)的顶部上，所述下部中间互连层面(232)位于所述上部中间互连层面(224)下方。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下部蚀刻阻挡层(936)设置在所述上部中间互连层面(924)和紧邻下方的层间电介质层(922)之间。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括横向蚀刻阻挡层(242，244)，所述横向蚀刻阻挡层(242，244)对于所述选择性蚀刻剂是不可渗透的，并且从所述上部蚀刻阻挡层(211)延伸至底部互连层面(256)，横向限制气隙存在的区域。

9.一种用于制作集成电路器件(201)的互连叠层(200)的方法，包括形成从距衬底参考表面最小距离的底部互连层面(256)至距该参考表面最大距离的顶部互连层面(283)的多个互连层面，所述方法包括以下步骤：

制作各个互连层面，所述互连层面包含平行于参考衬底表面并且在各自的互连层面的金属间的电介质层部分(220)之间延伸的金属互连线部分(230，204)，

或者在下部中间互连层面的顶部上，或者恰好在制作上部中间互连层面(224)之前，制作下部蚀刻阻挡层(236)，所述下部蚀刻阻挡层(236)对于侵蚀金属间的电介质层部分的选择性蚀刻剂是不可渗透的，

在上部中间互连层面(224)的顶部上制作上部蚀刻阻挡层(211)，所述上部蚀刻阻挡层对于所述选择性蚀刻剂是不可渗透的，

在上部和下部蚀刻阻挡层(211，236)中制作至少一个各自的蚀刻开口，以及在上部和下部蚀刻阻挡层(211，236)上制作连接两个各自的蚀刻开口(212，214，238，240)的至少一个各自的蚀刻通路，

制作横向蚀刻阻挡衬里，所述蚀刻阻挡衬里沿着蚀刻通路的侧壁延伸并且对于所述选择性蚀刻剂是不可渗透的，以及

通过穿过蚀刻通路施加所述选择性蚀刻剂，在一个或更多个互连层面(232)上制作气隙(248，250，252)，所述气隙(248，250，252)设置在下部蚀刻阻挡层(236)下方。