[发明专利]化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法无效
| 申请号： | 200780026430.9 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101490814A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 浪江祐司;金野智久;元成正之;仕田裕贵;竹村彰浩 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 左嘉勋;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 水系 散体 半导体 装置 方法 | ||
1.一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有
(A)重均分子量为500,000～2,000,000、且在分子内具有杂环的第一水溶性高分子；
(B)重均分子量为1,000～10,000、且具有选自羧基及磺基中的一种的第二水溶性高分子或其盐；
(C)氧化剂；以及
(D)磨料，
且pH为7～12。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(A)第一水溶性高分子与所述(B)第二水溶性高分子的质量比(A)/(B)为0.02～50。
3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(A)第一水溶性高分子的5质量％水溶液的粘度为50～150mPa·s。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(B)第二水溶性高分子的5质量％水溶液的粘度为1～5mPa·s。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(A)第一水溶性高分子是具有至少一个如下结构单元的共聚物，所述结构单元来源于选自乙烯基吡啶、乙烯基吡咯烷酮及乙烯基咪唑中的化合物。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(B)第二水溶性高分子是具有至少一个如下结构单元的共聚物，所述结构单元来源于选自丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、乙烯基磺酸及它们的盐中的化合物。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，还含有(E)配位化合物形成剂及(F)表面活性剂。
8.一种半导体装置的化学机械研磨方法，使用权利要求1～7中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体，研磨半导体基板上由铜或铜合金构成的层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
