[发明专利]含碱金属氧化物的光纤

权利要求书

1.一种光纤，其包括：

二氧化硅基芯体，所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物：K₂O、Na₂O、 LiO₂、Rb₂O、Cs₂O、以及它们的混合物，这些碱金属氧化物在所述芯体中 的平均浓度约为50-1000重量ppm，以及

二氧化硅基覆层，所述覆层包围所述芯体并与该芯体直接邻接，所述光 纤的光缆截止小于1400纳米，在1550纳米处的色散约为13-19ps/nm/km， 零色散波长约小于1420纳米。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的光缆截止波长 约小于1300纳米。

3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米处的 等效面积约大于70微米²。

4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米处的 色散斜率约小于0.065ps/nm²/km。

5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述芯体还包含平均含量 约大于500重量ppm的氟。

6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述芯体还包含在所述芯 体中的平均浓度约大于500重量ppm的氯。

7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，相对于外覆层，所述芯体 的折射率分布的峰值相对折射率Δ_MAX大于0.3％。

8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述芯体还包含氯和氟，所 述芯体中氟的平均浓度大于该芯体中碱金属氧化物的平均浓度，所述芯体 中氯的平均浓度大于该芯体中碱金属氧化物的平均浓度。

9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述芯体还基本上不含锗。

10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述芯体中所述氯的平均 浓度大于约500重量ppm，所述芯体中所述氟的平均浓度大于约500重量 ppm。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的芯体包括：沿 芯体的中心线设置的第一区，该区具有小于100ppm的最小氯含量；以及 包围所述第一区的第二芯体区，该第二区的氯峰值浓度大于500ppm。

12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米处的 衰减小于0.18dB/km。

13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米处的 衰减小于0.17dB/km。

14.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一区的外半径大于3 微米且小于5微米。

15.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述覆层中掺杂有氟，氟 的平均浓度大于10000ppm。

16.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述覆层中掺杂有氯，氯 的量大于500ppm。

17.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述碱金属氧化物是K₂O。

18.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的零色散波长约 大于1300纳米。

19.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米处 的衰减小于0.18dB/km，在1550纳米处的色散/衰减约为80至106。

20.如权利要求19所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550纳米处 的色散小于16ps/nm/km。