[发明专利]横向结型场效应晶体管

权利要求书

1.一种横向结型场效应晶体管，包括：

第一导电类型的耐压保持区域(3)；

第二导电类型的沟道区域(4)，其形成在所述耐压保持区域上；

第一导电类型的栅极区域(5)，其形成在所述沟道区域上；

栅极电极(12a)，其电连接至所述栅极区域；

源极电极(12b)和漏极电极(12c)，彼此之间被夹在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述栅极电极分隔开，并且所述源极电极和所述漏极电极电连接至所述沟道区域；以及

控制电极(12d)，用于给所述耐压保持区域施加使所述耐压保持区域和所述沟道区域在截止操作时处于反向偏置状态的电压。

2.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，其中，

与施加到所述栅极电极(12a)的电势相同的电势被施加到所述控制电极(12d)。

3.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，其中，

所述控制电极(12d)电绝缘于所述源极电极(12b)。

4.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，进一步包括：

第一导电类型的电场缓和区域(9)，其形成在所述沟道区域(4)上以及在所述栅极区域(5)的横向侧处，并且具有比所述栅极区域的杂质浓度低的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，进一步包括：

第二导电类型的源极区域(6)，其形成在所述沟道区域(4)上，电连接至所述源极电极(12b)，并且具有比所述沟道区域的杂质浓度高的杂质浓度；以及

第二导电类型的漏极区域(7)，其形成在所述沟道区域上，电连接至所述漏极电极(12c)，并且具有比所述沟道区域的杂质浓度高的杂质浓度。