[发明专利]两级X射线集中器有效
申请号: | 200780039789.X | 申请日: | 2007-10-23 |
公开(公告)号: | CN101553881A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 李·格罗津斯;哈尔·格罗津斯 | 申请(专利权)人: | 塞莫尼根分析技术有限责任公司 |
主分类号: | G21K1/06 | 分类号: | G21K1/06;G01N23/223 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩 龙;阎娬斌 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 两级 射线 集中器 | ||
本申请要求于2006年10月24日提交的美国临时专利申请序列号 为No.60/853875的优先权,该临时申请作为参考在此并入。
技术领域
本发明涉及用于对来自宽带源的x射线集中并同时进行光谱滤波 的方法和设备。
背景技术
x射线的简单瞄准结合紧凑的结构允许基于x射线荧光(XRF)的 手持分析仪可以在厘米级尺寸目标上获得高水平性能。图1示出了一种 XRF分析仪的各部分结构的示意图,例如由Thermo NITON Analyers LLC制造的氡XRF分析仪,总体上用标号10表示。当电子(或其它带 电粒子)114朝目标加速时,x射线管100发射宽光谱的x射线发射112, 这里所述的目标是指阳极116,但不限于此。x射线光束112的能量光 谱由一个或多个滤波器118调制(tailored),由准直器126准直形成准 直的光束128,并(通过用仪器10瞄准)被导向样本120。探测器124 对该样本发射的荧光x射线122进行探测。
通常x射线光束112所探测的样本区域超过5mm2,而通常样本到 阳极和样本到探测器的距离均小于15mm。在该氡XL型XRF分析仪种, x射线管的长度小于5cm。
图2的上方曲线200表示相对于来自现有技术中运行在50keV的 金阳极x射线管发射源的能量光谱的输出强度。该轫致辐射连续光谱对 于测量低浓度(concentration)水平不是最佳的。通过用滤波器使光束 成形能够充分增强对于给定的元素(atomic element)的信噪比。图2 的下方曲线202是经滤波的光谱例子,该光谱对于测量有毒元素镉的 23.2keV的特征x射线特别有用,其中镉的K电子以26.7keV的能量跃 迁。其信噪比与通过未经滤波的光谱所获得的信噪比相比增益超过10 倍。
X射线聚焦光学器件能够数量级地增加从x射线管到目标上的有用 光通量。如在此以及在任一所附权利要求中所用,术语“聚焦光学器件” 是指使x射线在目标上的强度增加超过没有使用该光学器件时所获得 的强度的一类装置中的任一种。除非本文中另有规定,否则术语“x射 线透镜”和“x射线集中器”在此与“聚焦光学器件”在此等效使用,不受限 制。
参考图3说明了用于聚焦x射线的现有技术例子的基本部分。在x 射线管100的阳极116上的x射线生成区域301是聚焦部分303的(在 光学意义上的)“对象”,该聚焦部分将x射线光谱的一部分集中在通常 小于0.1mm2的照射区域。X射线产生区域301有时可以是指x射线产 生“点”。为了实现这样的集中,在阳极116上的电子束斑305的尺寸通 常与在目标上的分辨率相称。可以理解例如直线性加速器等其它x射线 辐射的多波长发射源也可以用作在本发明范围内的x射线源。吸收器 309吸收没有撞击在聚焦部分303上而可能以其它方式撞击在目标120 上的x射线。
实际的光学集中器通常以它们是使用全反射还是布拉格散射来分 类。全反射方法利用材料的折射率小于电磁波在x射线能量区中的一致 性(unity)的事实。从光滑玻璃表面全反射的条件是非常接近Eθ≤30, 其中E是以keV为单位的x射线能量,而θ是相对于媒质表面的以毫 弧度为单位的入射角。例如,对于入射角小于大约1毫弧度时30keV的 x射线会全反射,或者在固定的1毫弧度的入射角时,小于大约30keV 的全部x射线将全反射。
布拉格散射,有时称为水晶散射利用x射线能够从定向晶体相干地 散射的事实。布拉格散射的条件为2d sinθ=12.4n/E,其中如上所述,θ 和E分别是相对于晶体平面的入射角和以keV为单位的x射线能量,d 是以埃为单位的在晶体(晶格空间)各平面之间的距离,而次序数n通 常为1或2的整数。例如:使用具有2′的d间距的晶体,对于30keV 的第一次布拉格散射发生在角度θ=5.9°时。
该全反射和布拉格散射技术都是用在可能量分散和角度分散的实 验室分光仪中。这些分光仪的尺寸、重量和能量要求迄今仍然与手持或 便携式XRF分光仪相矛盾,手持或便携式XRF分光仪重量必须不能超 过几磅并且必须具有许多小时的电池寿命。这里所介绍的方法使得x射 线光学系统可以用于手持XRF系统的集中器。
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞莫尼根分析技术有限责任公司,未经塞莫尼根分析技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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