[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 200780048011.5 申请日: 2007-11-12
公开(公告)号: CN101568954A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 熊田浩二 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 张 鑫;胡 烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置等矩阵型的显示装置。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)液晶面板有电子迁移率低的非晶硅TFT 液晶面板、电子迁移率较高的多晶硅TFT液晶面板等几种。在多晶硅TFT液晶面 板等中,为了降低成本及提高可靠性,有时充分利用上述特征而将驱动电路的一部 分形成于液晶面板上。即使是驱动电路中较低速地工作的栅极驱动器电路,也可以 容易地形成于液晶面板上。

图13是表示以往的液晶显示装置的结构图。在图13所示的液晶显示装置中, 像素阵列91与栅极驱动器电路94形成与液晶面板90上,控制电路92与源极驱动 器电路93设置于液晶面板90的外部。在图13中,栅极驱动器电路94在液晶面板 90上配置于像素阵列91的左侧。在像素阵列91的右侧,有的情况不配置任何电 路,有的情况配置任意电路。

图14是将栅极驱动器电路细化而表示图13所示液晶显示装置的图。如图14 所示,栅极驱动器电路包括移位寄存器95和多个放大电路96。放大电路96将移 位寄存器95的输出放大,驱动设置于像素阵列91的栅极布线。在以往的液晶显示 装置中,放大电路96由多级连接多个CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor:互补金属氧化物半导体)开关而构成。

此外,与本申请发明相关联,在专利文献1和2中揭示了设置连接于栅极布线 两端的栅极驱动器电路的技术。

专利文献1:日本专利特开2000-276110号公报

专利文献2:日本专利特开2002-23712号公报

发明内容

然而,在图13和图14所示的以往的液晶显示装置中,存在以下问题。首先, 若在液晶面板上形成驱动电路,则由于面板的外形尺寸增大了该部分,因此需要缩 小驱动电路的面积。特别是在很多情况下,要求缩小位于显示区域左右的非显示区 域。

另外,若如图13所示那样在像素阵列91的一边附加配置栅极驱动器电路94, 则显示区域在液晶面板90上成为左右不对称。因此,例如在将液晶面板90用于移 动电话的主显示器时,只能将显示区域配置于偏离移动电话中心的位置,从而,破 坏了移动电话的设计性(参照图15)。而实际上为了优先考虑设计性,会使得未形成 驱动电路的一侧也具有与形成了驱动电路的一侧相同的非显示区域。

因此,本发明的目的在于提供一种平衡地配置驱动电路、且显示区域左右对称 的显示装置。

本发明的第一方面是矩阵型的显示装置,它的特征在于,包括:

像素阵列,该像素阵列包括配置成二维形状的多个像素电路、多根扫描信号线 和多根视频信号线;

第一扫描信号线驱动电路,该第一扫描信号线驱动电路连接于上述扫描信号线 的一端,驱动上述扫描信号线;

第二扫描信号线驱动电路,该第二扫描信号线驱动电路连接于上述扫描信号线 的另一端,与上述第一扫描信号线驱动电路合作,一起驱动上述扫描信号线;以及

驱动上述视频信号线的视频信号线驱动电路,

上述第一和第二扫描信号线驱动电路包括:输出上述扫描信号线的选择信号的 移位寄存器;以及多个放大电路,该放大电路由多级连接多个开关构成,将上述移 位寄存器的输出放大并施加到上述扫描信号线,

上述第一扫描信号线驱动电路的放大电路中位于末级的第一开关、和上述第二 扫描信号线驱动电路的放大电路中位于末级的第二开关中的至少一方,为 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor:N沟道金属氧化物半导体)开关或 PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor:P沟道金属氧化物半导体)开关。

本发明的第二方面的特征在于,在本发明的第一方面中,

上述第一和第二扫描信号线驱动电路是在形成有上述像素阵列的显示面板上, 沿着上述像素阵列的相对的两边形成的。

本发明的第三方面的特征在于,在本发明的第一方面中,

上述第一开关为NMOS开关,上述第二开关为PMOS开关。

本发明的第四方面的特征在于,在本发明的第一方面中,

上述第一开关为CMOS开关,上述第二开关为PMOS开关。

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