[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于：

具备SRAM单元，其中具有：

存取MOS晶体管；

驱动MOS晶体管；以及

连接接地布线与上述驱动MOS晶体管的源区的第1接触，

上述第1接触与上述存取MOS晶体管和上述驱动MOS晶体管双方的体区连接。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于：

上述存取MOS晶体管和上述驱动MOS晶体管在半导体层中所形成的第1导电类型的阱区内的第1有源区形成，分别具有上述第1导电类型的上述体区和第2导电类型的源/漏区，

上述第1有源区由在上述半导体层的上表面部有选择地形成了的元件隔离绝缘膜规定，

上述存取MOS晶体管和上述驱动MOS晶体管的体区与上述元件隔离绝缘膜下面的上述阱区连结在一起，

上述第1接触与上述元件隔离绝缘膜下面的上述阱区连接。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于：

上述第1接触穿通上述元件隔离绝缘膜，与其下的上述阱区连接。

4.如权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于：

上述SRAM单元还具有在上述阱区内由上述元件隔离绝缘膜所规定的上述第1导电类型的第2有源区，

上述第2有源区与上述元件隔离绝缘膜下面的上述阱区连结在一起，

上述第1接触与上述第2有源区连接。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于：

上述第2有源区比上述第1阱区的杂质浓度高。

6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于：

上述第2有源区和上述驱动MOS晶体管的源区的至少其上表面部连结在一起，在该第2有源区和该源区的上述上表面部形成一体的硅化物层，

上述第1接触与上述硅化物层连接。

7.如权利要求1至6的任一项中所述的半导体存储器件，其特征在于：

还具备：

负载MOS晶体管；以及

连接电源布线与上述负载MOS晶体管的源区的第2接触，

上述第2接触与上述负载MOS晶体管的体区连接。

8.如权利要求1至6的任一项中所述的半导体存储器件，其特征在于：

没有将上述SRAM单元的上述阱区固定于规定的电位用的作为独立于该SRAM单元的单元的阱电位固定用单元。

9.如权利要求1至6的任一项中所述的半导体存储器件，其特征在于：

还具备负载MOS晶体管，

上述驱动MOS晶体管的漏区和上述负载MOS晶体管的漏区的至少其上表面部连结在一起，在该驱动MOS晶体管的漏区和该负载MOS晶体管的漏区的上述上表面部形成一体的硅化物层。