[发明专利]半导体晶圆的保护方法有效

专利信息
申请号: 200810009366.X 申请日: 2008-02-25
公开(公告)号: CN101312118A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 山本雅之;森本一男 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/304
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 保护 方法
【权利要求书】:

1.一种借助粘贴带将半导体晶圆粘贴保持于环形架上的半导体晶圆的保持方法,上述方法包含以下工序:

粘贴保护带工序,在实施了形成图案处理的半导体晶圆的表面粘贴保护带并沿晶圆外形将该保护带切断;

背磨工序,对粘贴有上述保护带的半导体晶圆的背面的、除环状外周部之外的部分进行背磨处理;

保护带剥离工序,从通过背磨在背面外周部位形成有环状凸部的半导体晶圆的表面剥离上述保护带;

粘贴保持带工序,在剥离了上述保护带的半导体晶圆的整个表面、和将半导体晶圆置于中央而被装填的环形架的整个表面上粘贴保持带;

环状凸部除去工序,除去粘贴保持于上述保持带上的半导体晶圆的环状凸部;

粘贴带粘贴工序,在通过除去上述环状凸部而变成扁平的半导体晶圆的整个背面和环形架的整个背面上粘贴粘贴带;

保持带剥离工序,剥离在环形架整个表面和半导体晶圆整个表面上粘贴的上述保持带。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述环状凸部除去工序中,将被粘贴保持于保持带上的半导体晶圆的背磨区域的外周部位切断为环状,并将该部位从保持带剥离除去。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的保持方法,

上述保持带为紫外线固化型的粘贴带,

在切断除去上述环状凸部之前,对上述环状凸部的保持带粘贴面照射紫外线。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述环状凸部除去工序中,将半导体晶圆的背磨区域的 外周部位研磨除去到背磨高度,该半导体晶圆被粘贴保持于保持带上。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述保护带剥离工序中,通过吸附台吸附保持环状凸部内侧的扁平凹部,该吸附台具有直径小于半导体晶圆的环状凸部内径的吸附凸部,

在该状态下,一边用粘贴辊按压卷绕供给到该粘贴辊上的剥离带的非粘贴面一边使该粘贴辊在晶圆表面的保护带上滚动进行粘贴,并且,将剥离带和保护带一体地剥离。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述保护带剥离工序中,在粘贴剥离带时,保持非粘贴面侧的环状凸部的扁平面。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述保持带粘贴工序中,通过吸附台吸附保持环状凸部内侧的扁平凹部,该吸附台具有直径小于半导体晶圆的环状凸部内径的吸附凸部,

在该状态下,一边用粘贴辊按压卷绕供给到该粘贴辊上的保持带的非粘贴面一边使其在晶圆表面上滚动进行粘贴。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述保持带粘贴工序中,在粘贴保持带时,保持非粘贴面侧的环状凸部的扁平面。

9.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保持方法,

在上述保持带剥离工序中,吸附保持粘贴有粘贴带的半导体晶圆的背面和环形架的背面,

在半导体晶圆表面和环形架表面处于同一平面内的状态下粘贴剥离带,并且将该剥离带和保持带一体地剥离。

10.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保持方法,上述方法还包含以下工序: 

在剥离上述保持带之前,对该保持带照射紫外线。 

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