[发明专利]光刻机对准方法

权利要求书

1.一种光刻机对准方法，其特征在于：包括两阶段对准方法，第一阶段是晶圆正常区域对准，包括如下步骤：(1)在曝光单元上设置一些对准标记；(2)光刻机测量若干曝光单元的步骤(1)中设置的对准标记的坐标；(3)拟和出晶圆对准模型1；(4)曝光后得出套准不良的晶圆扭曲区域；第二阶段是晶圆扭曲区域对准，包括如下步骤：(A)在晶圆扭曲区域设置一些对准标记；(B)光刻机测量对准标记的坐标；(C)拟和出晶圆对准模型2；(D)曝光后进行套准修正。

2.如权利要求1所述的光刻机对准方法，其特征在于：步骤(1)中所述在曝光单元上是在曝光单元的切割道上。

3.如权利要求1所述的光刻机对准方法，其特征在于：步骤(A)中所述在晶圆扭曲区域是在晶圆扭曲区域的切割道上。

4.如权利要求1所述的光刻机对准方法，其特征在于：所述步骤(3)拟和出晶圆对准模型1采用最小二乘法。

5.如权利要求1所述的光刻机对准方法，其特征在于：所述步骤(C)拟和出晶圆对准模型2采用最小二乘法。

6.如权利要求1所述的光刻机对准方法，其特征在于：步骤(3)中所述的晶圆对准模型1由以下6个参数组成：平移横轴参数Tx1、平移纵轴参数Ty1、膨胀横轴参数Ex1、膨胀纵轴参数Ey1、旋转参数Rotation1和正交性参数Ortho1。

7.如权利要求1所述的光刻机对准方法，其特征在于：步骤(C)中所述的晶圆对准模型2由以下6个参数组成：平移横轴参数Tx2、平移纵轴参数Ty2、膨胀横轴参数Ex2、膨胀纵轴参数Ey2、旋转参数Rotation2和正交性参数Ortho2。