[发明专利]光刻胶显影模拟的方法

权利要求书

1.一种光刻胶显影模拟的方法，其特征在于：所述光刻胶显影模拟中 采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量、发散系数 和最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率；在所述光 刻胶显影模拟中采用如下公式表征显影速率：

DR(Dose)＝MaxDR*(1/(1/exp((Dose-EO)/BF)+1))+MinDR；

其中DR(Dose)为随曝光能量变化的显影速率，Dose为光刻曝光能量， MaxDR为最大显影速率归一化常数，EO为显影阈值能量，BF为发散系数， MinDR为最小显影速率归一化常数。

2.一种光刻工艺模拟的方法，所述光刻工艺模拟包括光刻图形的光学 成像模拟，光酸扩散模拟，光刻胶烘烤图形模拟和光刻胶显影模拟，其特 征在于：所述光刻胶显影模拟中采用权利要求1所述的模拟方法。

3.一种光学临近修正模型的建立方法，其特征在于：所述建立光学临 近模型过程中采用了权利要求2所述的光刻工艺模拟方法。