[发明专利]具有超高亲水性的太阳能板自洁结构及其制法无效
申请号: | 200810084630.6 | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN101533865A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 谢逸弘;简永杰 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 胡畹华 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 超高 亲水性 太阳能 结构 及其 制法 | ||
技术领域
本发明涉及一种具有超高亲水性的太阳能板自洁结构及其制法,其兼具直接利用太阳能中的紫外线产生超高亲水性、结构简单而成本低,可直接加设于市面的太阳能装置,及具有清洗装置可加强清洁太阳能电池模块等优点及功效。
背景技术
参阅图1及图2,现有太阳能装置是于一太阳能电池模块81上设置一透光隔层82,如此,在使用过程中,散布于空气中的污渍71(例如大气中的水气、油气、灰尘等)即会沉积于该透光隔层82上,不会弄脏太阳能电池模块81。
然而,以太阳电池先前技术而言,目前大家都着重于太阳电池本身结构及电池的效率,但是却忽略了太阳电池使用一段长时间之后,会因为大气中的水气、油气、灰尘及其他有机污染物使得太阳电池表面沉积脏污,而影响到光线的穿透率及光电转换效率。
太阳能电池长时间曝晒在大气环境中,而大气环境中含有许多水气、油气及灰尘等,将逐渐会沉积在太阳电池表面上,这些表面的脏污会阻碍部分的阳光,进而影响到光线的入射透光率,结果导致太阳电池发电效率降低。
其次,在雨天过后所残留在表面的水滴,或是露水,通常会在太阳电池表面上停留一段时间,直到自然蒸发为止。在完全蒸发前,若水滴或露水接触到油气、脏污或是灰尘,最后仍会残留在太阳电池表面上,形成固态的圈状的水渍(沿水滴边缘的形状)、污垢,使太阳电池发电效率降低。
发明内容
本发明所要解决的主要技术问题在于,克服现有技术存在的上述缺陷,而提供一种具有超高亲水性的太阳能板自洁结构及其制法,其可直接利用太阳能中的紫外线产生超高亲水性,具有结构简单而成本低的优点,且可直接加设于市面的太阳能装置,具有清洗装置可加强清洁太阳能电池模块。
本发明具有超高亲水性的太阳能板自洁结构是:
一种具有超高亲水性的太阳能板自洁结构,其特征在于,包括:一透光隔层,至少具有一入光表面及一出光表面,该出光表面邻近一太阳能电池模块;一固态的二氧化钛层,是位于该入光表面上,该二氧化钛层具有一介于0.1μm至2μm间的镀膜厚度,且该二氧化钛层经一预定强度的紫外光照射预定时间后会由一诱发前状态转变成一诱发后状态;在该诱发前状态时,该二氧化钛层表面的诱发前接触角是介于40度至50度之间,而在该诱发后状态时,该二氧化钛层表面的诱发后接触角是介于0度至10度之间,借此,利用紫外光的诱发而成为超高亲水状态,达到具有防雾、抗水滴、表面自洁的效果。
前述的具有超高亲水性的太阳能板自洁结构,其中又包括:一掺杂层,是设于该二氧化钛层与该入光表面之间,该掺杂层为二氧化硅,其厚度是介于0.01μm~0.025μm之间;该掺杂层是用以调整复合薄膜触媒转换特性;且该掺杂层与该二氧化钛层的厚度比是介于1:40~1:10之间;一清洗装置,用以产生清水,以去除具有预定倾斜角的太阳能电池模块上的二氧化钛层表面上的污垢;该二氧化钛层设于该入光表面上的方式,是选自电子枪蒸镀、直流动力溅镀、射频动力溅镀其中之一。
前述的具有超高亲水性的太阳能板自洁结构,其中二氧化钛层是以相对低气压溅镀沉积于该入光表面而形成R-TiO2;所述二氧化钛层的厚度是介于0.2μm~0.4μm之间;所述紫外光的预定强度为1μW/cm2以上,且所述紫外光的波长范围是介于100nm至400nm之间。
前述的具有超高亲水性的太阳能板自洁结构,其中二氧化钛层是以相对高气压溅镀沉积于该入光表面而形成A-TiO2;所述二氧化钛层的厚度是介于0.2μm~0.4μm之间;所述紫外光的预定强度为1μW/cm2以上,且所述紫外光的波长范围是介于100nm至400nm之间。
前述的具有超高亲水性的太阳能板自洁结构,其中相对高气压值是介于0.1~15Pa之间。
前述的具有超高亲水性的太阳能板自洁结构,其中相对高气压值是介于1~3Pa之间。
本发明具有超高亲水性的太阳能板自洁结构的制法是:
一种具有超高亲水性的太阳能板自洁结构的制法,其特征在于,其包括下列步骤:
一.准备步骤:准备一透光隔层,该透光隔层至少具有一入光表面及一出光表面;该出光表面是邻近一太阳能电池模块;
二.二氧化钛层产生步骤:于该透光隔层的入光表面上设置一厚度介于0.1μm至2μm间的二氧化钛层;
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的