[发明专利]致动装置及其制造方法以及使用其的模块位移调节装置

权利要求书

1.一种致动装置，包括：

可变形的膜；

壁，形成在所述膜上以限定空穴；

杆，形成在所述空穴中，并且位于所述膜的表面上，在相对于空穴中心 的一侧，以与所述膜的变形相关联地运动；

致动单元，形成在所述膜的下表面上，以被压电地驱动，从而使膜变形。

2.如权利要求1所述的致动装置，其中，所述致动单元包括按顺序堆叠 在所述膜的下表面上的第一电极、压电层和第二电极。

3.如权利要求2所述的致动装置，其中，第一电极、压电层和第二电极 中的至少一个的面积小于所述膜的形成空穴的面积。

4.如权利要求1所述的致动装置，其中，所述壁在所述膜上限定多个空 穴，所述杆分别形成在所述多个空穴中。

5.如权利要求4所述的致动装置，其中，所述多个空穴通过多个块被限 定，在所述空穴中的所述杆的位置和形状根据对应的块彼此不同。

6.如权利要求1所述的致动装置，其中，所述杆的高度大于所述壁的高 度。

7.如权利要求1所述的致动装置，还包括设置在所述杆与所述膜之间以 及在所述壁与所述膜之间的绝缘膜。

8.一种模块位移调节装置，包括：

功能模块；

致动模块，通过使用被放置在形成于可变形的膜上的空穴中的杆来调节 功能模块的位移，从而所述杆与所述膜的变形相关联地运动，所述杆位于相 对于空穴的中心的一侧上。

9.如权利要求8所述的模块位移调节装置，还包括按顺序堆叠在所述膜 的下侧上的第一电极、压电层和第二电极。

10.如权利要求9所述的模块位移调节装置，还包括将用于功能模块的 位移调节的功率供给到第一电极和第二电极的功率供给单元。

11.如权利要求9所述的模块位移调节装置，其中，第一电极、压电层 和第二电极中的至少一个的面积小于所述膜的形成所述空穴的面积。

12.如权利要求8所述的模块位移调节装置，其中，所述致动模块还包 括在所述膜上限定多个空穴的壁，其中，所述杆分别形成在所述多个空穴中。

13.如权利要求12所述的模块位移调节装置，其中，所述多个空穴通过 多个块被限定，在所述空穴中的所述杆的位置和形状根据对应的块彼此不同。

14.如权利要求8所述的模块位移调节装置，还包括：

磁体单元，在功能模块与致动模块之间提供磁性吸引力，以使功能模块 与致动模块彼此附着；

轴承单元，布置在通过磁性吸引力形成的附着面上。

15.如权利要求8所述的模块位移调节装置，还包括：

弹簧单元，在功能模块与致动模块之间提供拉力，使功能模块与致动模 块彼此附着；

第一轴承单元，布置在功能模块与弹簧单元之间的连接区域以及在致动 模块与弹簧单元之间的连接区域上；

第二轴承单元，布置在通过拉力形成的附着面上。

16.如权利要求12所述的模块位移调节装置，其中，杆的高度大于壁的 高度。

17.一种用于制造致动装置的方法，包括：

制造膜，制造在所述膜上的壁以限定空穴，并制造在所述空穴中的杆， 使所述杆位于所述膜的表面并在相对于空穴的中心的一侧上；

在所述膜的下表面上堆叠第一电极、压电层和第二电极。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述制造步骤包括在除了与所述 壁和杆对应的部分之外的位置对由多种材料制成的多层晶片的一侧进行蚀 刻，以形成在所述多层晶片的一侧上形成的空穴、壁和杆的膜。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述制造步骤包括对所述多层晶 片的一侧进行蚀刻，从而留下凹陷，然后对具有凹陷的被蚀刻过的所述一侧 进行蚀刻，从而形成空穴、壁和杆，其中，杆的高度大于壁的高度。