[发明专利]半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法无效
| 申请号： | 200810092532.7 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101290878A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 寺川朗;浅海利夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/18;C23C16/44;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 光敏 元件 | ||
1.一种半导体膜的制造方法，其特征在于，包括：
导入半导体的材料气体的工序；
将所述材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；
在所述气氛压力被调压至所述规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和
利用加热的所述催化线分解所述材料气体，形成半导体膜的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
利用非材料气体稀释所述材料气体。
3.根据权利要求2所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
所述材料气体包括硅烷类气体，
所述非材料气体包括氢气。
4.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成所述半导体膜之后，对所述材料气体进行排气的工序；和
在所述材料气体已实质上被排出之后，停止对被加热到所述规定的温度以上的催化线的加热的工序。
5.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
所述半导体膜包括非晶硅膜。
6.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
所述材料气体包括硅烷气体，
所述规定的温度为1700℃以上。
7.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
所述催化线由钨构成。
8.根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述被分解的材料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序。
9.根据权利要求8所述的半导体膜的制造方法，其特征在于：
所述基底包括非晶硅膜、透光性导电膜或单晶硅基板。
10.一种光敏元件的制造方法，其特征在于，包括：
导入半导体的材料气体的工序；
将所述材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；
在所述气氛压力被调压至所述规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和
利用加热的所述催化线分解所述材料气体，形成作为光电变换层起作用的半导体膜的工序。
11.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
利用非材料气体稀释所述材料气体。
12.根据权利要求11所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
所述材料气体包括硅烷类气体，
所述非材料气体包括氢气。
13.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成所述半导体膜之后，对所述材料气体进行排气的工序；和
在所述材料气体已实质上被排出之后，停止对被加热到所述规定的温度以上的催化线的加热的工序。
14.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
所述半导体膜包括非晶硅膜。
15.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
所述材料气体包括硅烷气体，
所述规定的温度为1700℃以上。
16.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
所述催化线由钨构成。
17.根据权利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述被分解的材料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序。
18.根据权利要求17所述的光敏元件的制造方法，其特征在于：
所述基底包括非晶硅膜、透光性导电膜或单晶硅基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
