[发明专利]半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法，特别涉及具有利用催化线(触媒線)分解材料气体而形成半导体膜的工序的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。

背景技术

现有技术中，已知具有利用催化线分解材料气体而形成半导体膜的工序的半导体膜的制造方法。这样的半导体膜的制造方法例如公开在日本专利第3453214号公报中。

上述专利第3453214号公报中，通过对催化体(催化线)供给电力，在被加热到材料气体的热分解温度以上的催化体上导入硅烷(SiH₄)等硅化合物的气体(材料气体)和氢(H₂)等其他物质的气体的混合气体，从而在硅化合物被分解的同时，在基板的表面上形成硅膜(半导体膜)。

但是，在上述专利第3453214号公报中，并未公开在形成硅膜(半导体膜)时，开始向催化体(催化线)供给电力(开始加热)的定时和导入材料气体的定时。此外，一般地，开始加热的定时和导入材料气体的定时是同时的。在这样的情况下，因为从导入材料气体到材料气体的气氛的压力稳定为止需要一定的时间，所以在半导体膜的形成初期，在材料气体的气氛的压力不稳定的状态下形成半导体膜。在这样的情况下，在材料气体的气氛的压力不稳定的状态下形成的半导体膜存在膜质不稳定的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的一个目的是提供能够抑制半导体膜的膜质不稳定的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。

本发明的第一方面的半导体膜的制造方法包括：导入半导体的材料气体的工序；将材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；在气氛压力被调压至规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和利用已加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。

本发明的第二方面的光敏元件的制造方法包括：导入半导体的材料气体的工序；将材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；在气氛压力被调压至规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和利用加热的催化线分解材料气体，形成作为光电变换层起作用的半导体膜的工序。

附图说明

图1是在本发明中使用的催化线CVD装置的概略图。

图2是表示依据本发明制造的薄膜类的光敏元件的截面图。

图3是表示依据本发明制造的异质结型的光敏元件的截面图。

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的具体的实施方式进行说明。

(第一实施方式)

首先，参照图1，说明本发明的第一实施方式的半导体膜的制造中使用的催化线CVD装置的结构。

如图1所示，催化线CVD装置包括反应室1、用于向反应室1内供给材料气体和调压气体的气体供给部2、与直流电源3连接的催化线4、排气阀5、用于设置形成半导体膜10的基底20的设置部6、和用于加热设置在设置部6上的基底20的加热器7。

催化线4由钨(W)构成。此外，催化线4采用通过直流电源3通电而被加热的结构。此外，反应室1内的气体能够通过真空泵(未图示)排气，采用通过排气阀5开关排气通路的结构。

接着，参照图1，说明本发明的第一实施方式的半导体膜的制造方法。并且，在第一实施方式中，以在基底20上形成作为半导体膜10的氢化的非晶硅膜为例进行说明。非晶硅膜的制造条件的一个例子如以下表1所示。

[表1]