[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，

具有：p型接触层；p型中间层，形成在所述p型接触层的下层；p型覆盖层，形成在所述p型中间层的下层，

所述p型接触层与所述p型中间层间、以及所述p型中间层与所述p型覆盖层间的带隙差分别为200meV以下。

2.如权利要求1的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述p型接触层是掺杂有Mg的In_yAl_zGa_1-y-zN，其中，0≤y，0≤z，y+z＜1，

所述p型中间层是掺杂有Mg的Al_x1Ga_1-X1N，其中，0≤x₁≤1，

所述p型覆盖层是掺杂有Mg的Al_x2Ga_1-X2N，其中，0≤x₂≤1。

3.如权利要求2的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述p型接触层为GaN，

所述p型接触层的Mg浓度是1×10²⁰cm^-3～1×10²¹cm^-3。

4.如权利要求2的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述p型中间层的Mg浓度是1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。

5.如权利要求2的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述p型中间层的Mg浓度比所述p型接触层以及所述p型覆盖层的Mg浓度低。

6.如权利要求2的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述p型中间层的成分是GaN。