[发明专利]滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置，并且更具体地讲，涉及包括单个基膜并能够使在等离子显示装置的前表面中的电磁干扰(EMI，electro magnetic interference)屏蔽层接地的滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置。

本申请要求2007年4月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2007-0041615和2008年3月27日提交的韩国专利申请No.10-2008-0028492的优先权，这里依据授权范围加入其全部内容。

背景技术

使用等离子显示面板(PDP，plasma display panel)的等离子显示装置是利用气体放电显示图像的平板显示装置，并由于它与传统阴极射线管(CRT，cathode-ray tube)相比在厚度、显示功率(capacity)、亮度、对比度、残影和可视角度方面具有优秀的显示特性而被认为是下一代的平板显示装置。

在构造PDP时，滤波器被贴附至等离子显示面板的前表面以防止反射、屏蔽电磁干扰和阻挡近红外射线。但是，包括多个基膜的多层滤波器的结构不够简单，并且多层滤波器的生产成本也比较高。

发明内容

依据本发明的方面，所提供的滤波器包括：基膜；形成在基膜的一侧上的防反射层；形成在基膜的另外一侧上的电磁干扰(EMI)屏蔽层；形成在EMI屏蔽层和显示面板前基板之间以直接粘接滤波器至显示面板的前基板的粘接层；和突出于滤波器形成的导电构件，容纳在穿透防反射层和基膜的凹槽内以电连接EMI屏蔽层和导电构件。

此时，本导电构件可以为Ag电极，导电构件可以沿滤波器的边缘连续形成，并且凹槽的宽度可以在10到100μm的范围内。

EMI屏蔽层可以包括：具有图案的卤化银层；和镀在卤化银层上面的铜层。卤化银层可以通过在基膜上实行光刻法形成。卤化银层可以通过在基膜上形成感光树脂层和在感光树脂层上实行印刷法形成。

卤化银层和铜层的组合厚度可以在2到6μm的范围内。

依据本发明的另一个方面，提供了包括如上所述的滤波器的等离子显示装置。

附图说明

参考附图详细描述本发明的示例性实施例将使本发明的以上和其它特性和优点变得更为清楚明了，其中相似的附图标记指代相同或相似的部件，在附图中：

图1是示出了使用多层基膜的现有滤波器的截面图；

图2是图1的现有滤波器的平面视图；

图3是依据本发明的实施例的包括单个基膜的滤波器；

图4是图3中的依据本发明的实施例的滤波器的沿图3中的线IV-IV的局部截面图；

图5A到5C是示出依据本发明的实施例的用以形成图3中的滤波器的导电构件的方法的截面图；

图6是依据本发明的另一实施例的包括单个基膜的滤波器的截面图；

图7是依据本发明的另一实施例的包括单个基膜的滤波器的截面图；

图8A到8H是示出使用传统刻蚀法生产网栅型电磁干扰(EMI)屏蔽层的方法的截面图；

图9是示出了依据本发明的实施例的在采用图8A到8H中示出的方法生产的EMI屏蔽层上形成的防反射层的截面图；

图10A到10D是示出依据本发明的实施例的通过使用曝光和镀敷的方法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的视图；

图11是示出了依据本发明的实施例的形成在采用图10A到10D中示出的方法生产的EMI屏蔽层上的防反射层的截面图；

图12A到12D是示出了依据本发明的另一实施例的使用印刷法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的视图；

图13是示出了依据本发明的实施例的在使用图12A到12D中示出的方法生产的EMI屏蔽层上形成的防反射层的截面图；

图14是依据本发明的实施例的包括滤波器的等离子显示装置的透视图；和

图15是依据本发明的实施例的沿图14的线XV-XV的局部截面图。

具体实施方式

先参考附图，图1是示出了使用等离子显示面板(PDP)的等离子显示装置的截面图，以便提供利用气体放电显示图像的平板显示装置，由于它与传统阴极射线管(CRT)相比在厚度、显示功率、亮度、对比度、残影和可视角度方面具有优秀的显示特性而被认为是下一代的平板显示装置。