[发明专利]氮化硅膜的干刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810099859.7 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315891A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 登坂久雄 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 刻蚀 方法 | ||
1.一种氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，通过采用含有惰性气体、氟气及氧气的混合气体的反应性离子刻蚀来对形成在非晶硅膜上的氮化硅膜进行干刻蚀，其中所述惰性气体是氮、氦或氖中的任一种。
2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氧气与所述氟气的流量比为0.5～20。
3.根据权利要求1所述的氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氧气与所述氟气的流量比为1～4。
4.根据权利要求1所述的氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，干刻蚀在1～100Pa的真空气氛下进行。
5.一种氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，包括以下工序：
在基板上形成本征非晶硅膜，在所述本征非晶硅膜上形成由氮化硅膜构成的被加工物；
将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内，将所述被加工物的基板载置在所述高频电极上；
将所述干刻蚀装置减压，向所述干刻蚀装置内导入惰性气体、氟气及氧气，其中所述惰性气体是氮、氦或氖中的任一种；
对所述高频电极施加高频，从而刻蚀所述氮化硅膜。
6.根据权利要求5所述的氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氧气与所述氟气的流量比为0.5～20。
7.根据权利要求5所述的氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氧气与所述氟气的流量比为1～4。
8.根据权利要求5所述的氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，干刻蚀在1～100Pa的真空气氛下进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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