[发明专利]直流感应器内永磁体的保护

权利要求书

1.一种直流感应器，其包括：

磁芯结构(11)，其包括至少两个磁隙(12)，

线圈(14)，其插在所述磁芯结构(11)上，

至少一个永磁体(15)，其定位在所述磁芯结构内，所述永磁体(15) 的磁化对抗可由所述线圈(14)产生的磁化，其特征在于，

所述磁芯结构适合形成主磁通路径和辅助磁通路径，其中包括第 一磁隙的所述主磁通路径适合传输可由所述线圈产生的主磁通，

其中，包括第二磁隙的所述辅助磁通路径适合引导磁通绕过至少 一个永磁体(15)，并适合防止所述永磁体完全去磁。

2.如权利要求1所述的直流感应器，其特征在于，由所述主磁通 路径内的所述第一磁隙限定的磁阻小于由所述辅助磁通路径内的所 述第二磁隙限定的磁阻。

3.如权利要求2所述的直流感应器，其特征在于，由所述辅助磁 通路径内的所述第二磁隙限定的磁阻小于由所述永磁体限定的有效 磁阻。

4.如权利要求1-3中任一项所述的直流感应器，其特征在于，所 述辅助磁通路径由磁性材料制作的支撑构件形成，所述支撑构件在所 述磁芯结构的绕组窗内部从磁芯结构延伸，并固定所述至少一个永磁 体。

5.如权利要求4所述的直流感应器，其特征在于，所述支撑构件 在所述磁芯结构的所述绕组窗内部朝向所述磁芯结构的一部分延伸， 且所述支撑构件具有一自由端，所述自由端与所述磁芯结构的所述部 分一起限定所述辅助磁通路径内的所述第二磁隙。

6.如权利要求4所述的直流感应器，其特征在于，所述支撑构件 (17)设置为平行于所述磁芯结构(11)延伸，且所述至少一个永磁体(15) 设置于所述支撑构件(17)和所述磁芯结构(11)之间，以使所述支撑构件 (17)与所述磁芯结构一起为所述至少一个永磁体(15)形成低磁阻磁路。

7.如权利要求1-3中任一项所述的直流感应器，其特征在于，至 少一个磁性板块(19)用于限定所述主磁通路径内的所述第一磁隙(12)。

8.如权利要求4所述的直流感应器，其特征在于

所述磁芯结构(11)包括上部腿，以及

所述支撑构件(17)平行于所述上部腿在所述磁芯结构的内部延 伸，所述上部腿与所述支撑构件(17)之间的距离与所述上部腿与所述 支撑构件(17)之间的所述永磁体(15)的高度相等。

9.如权利要求1-3中任一项所述的直流感应器，其特征在于，所 述直流感应器进一步包括故障检测装置，所述故障检测装置适合感测 所述线圈的电流及/或所述磁芯结构的磁通。

10.如权利要求9所述的直流感应器，其特征在于，将感测所述 磁通的所述故障检测装置设置在所述主磁通路径或辅助磁通路径中 所提供的磁隙内。

11.如权利要求1-3中任一项所述的直流感应器，其特征在于， 所述直流感应器进一步包括温度检测装置，所述温度检测装置适合感 测所述磁芯结构的温度。