[发明专利]直流感应器内永磁体的保护有效
申请号: | 200810109711.7 | 申请日: | 2008-06-06 |
公开(公告)号: | CN101364472A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | T·维塔南;P·皮特里斯 | 申请(专利权)人: | ABB有限公司 |
主分类号: | H01F29/14 | 分类号: | H01F29/14;H01F37/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈江雄;何自刚 |
地址: | 芬兰赫*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直流 感应器 永磁体 保护 | ||
技术领域
本发明涉及一种直流感应器(DC inductor),且具体而言,涉及一 种具有至少一个永磁体的直流感应器,所述至少一个永磁体设置在所 述感应器的磁芯(core)结构内。
背景技术
直流感应器作为无源组件的主要应用是在交流电气驱动装置的 直流连接线内。使用感应器来减少交流驱动装置的输入侧整流器系统 内线电流中的谐波。
在直流感应器中使用永磁体能够实现感应器磁芯的横截面积最 小化。永磁体设置至磁芯结构的方式使永磁体产生的磁通或磁化与从 缠绕在磁芯结构上的线圈可获得的磁通或磁化反向。线圈和永磁体的 反向磁化使所得到的磁通密度较小,且因此能够实现所用的磁芯具有 较小横截面尺寸。
众所周知,如果向永磁体施加外部磁场,永磁体就能够变得去磁。 该外部磁场必须足够强,且与永磁体的磁化反向施加,以便永久性去 磁。对于具有永磁体的直流感应器,如果相当大的电流流过线圈及/ 或如果磁芯的结构设计不正确,可能发生去磁。可导致去磁的电流可 能是由于与直流感应器相连的装置中故障引起的。
文件EP 0 744 757 B1公开一种直流电抗器,其中使用永磁体且进 行了上述考虑。EP 0 744 757 B1中的直流电抗器包括磁芯结构,永磁 体附接至该磁芯结构。然而,如果在故障期间极大的电流流过(例如) 线圈绕组,反向的磁场强度就可能很大,以致永磁体永久性去磁。直 流感应器内的永磁体去磁会导致去磁后的物件不得不重新磁化的情 况。这意味着在实际中,不得不将直流感应器从装置移除并用新的直 流感应器对其进行更换。
因此,与现有技术结构相关的一个问题涉及当过大的电流流入直 流感应器的线圈时,直流感应器内的永磁体的永久去磁。
发明内容
本发明的目的是提供一种直流感应器来解决上述问题。本发明的 目的通过一种直流感应器来实现,该直流感应器包括:
磁芯结构,其包括至少两个磁隙,
线圈,其插在该磁芯结构上,
至少一个永磁体,其定位在该磁芯结构内,该永磁体的磁化对抗 可由该线圈产生的磁化,其中,
该磁芯结构适合形成主磁通路径和辅助磁通路径,其中包括第一 磁隙的该主磁通路径适合传输可由该线圈产生的主磁通,
其中,包括第二磁隙的该辅助磁通路径适合引导磁通通过至少一 个永磁体,并适合防止该永磁体完全去磁。
本发明基于如下概念:提供一磁芯结构,其包括一支路,该磁芯 结构由于永磁体和支路的尺寸设置和磁隙而具有很大的磁阻,且其传 输由过大电流引起的磁通。该支路包括磁隙,且其在磁通开始流过之 前引导磁通经过永磁体。因此,辅助支路修改线圈磁场的磁路,以便 将会使永磁体去磁的磁场强度限制至较安全值。
本发明的直流感应器的优点在于,辅助支路作为反向融合 (reverting fuse)并保护直流感应器中所用的永磁体。当大电流已流入感 应器的线圈且辅助支路已保护永磁体后,直流感应器的运行恢复到其 正常运行。可使用辅助支路作为设计参数来获得所期望的直流感应器 的电感。
附图说明
下面将参照附图利用优选实施例来更详细地说明本发明,附图 中:
图1显示一直流感应器的结构;
图2显示根据本发明修改的图1中所示的直流感应器的结构;
图3显示另一直流感应器的结构;
图4显示再一直流感应器的结构;
图5显示根据本发明修改的图4中所示的结构;
图6显示根据本发明的另一结构的正视图;
图7显示图6中的结构的立体图;
图8显示根据本发明的另一结构;
图9显示图8中的结构的立体图;
图10显示本发明在减小永磁体去磁场强度中的效果的实例;以及
图11显示电感与线圈电流之间的函数关系曲线的实例。
具体实施方式
图1显示可根据本发明修改的直流感应器。磁芯结构11由磁性 材料(即,能够引导磁通的材料)形成。该材料可例如为感应器中普遍 使用的叠片钢、电机中的定子板、软磁复合材料或铁粉。
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