[发明专利]硅烷偶联剂皮膜的形成方法无效
| 申请号： | 200810111291.6 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101322967A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 天谷刚;河口睦行;齐藤知志;出口政史 | 申请（专利权）人： | 美格株式会社 |
| 主分类号： | B05D7/24 | 分类号： | B05D7/24;B05D3/00;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋亭;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅烷偶联剂 皮膜 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硅烷偶联剂皮膜的形成方法，其特征在于，在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜，包括以下工序：
在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序，
将涂布了所述液体的金属表面，在25～150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序，
将干燥的金属表面进行水洗的工序。
2.根据权利要求1所述的硅烷偶联剂皮膜的形成方法，其特征在于，在所述金属表面上，作为表面处理，预先通过浸渍镀液形成粘合性金属层。
3.根据权利要求1或2所述的硅烷偶联剂皮膜的形成方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂是选自3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷及3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的硅烷偶联剂皮膜的形成方法，其特征在于，所述干燥时间为30秒～150秒。
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