[发明专利]硅烷偶联剂皮膜的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及向金属表面形成硅烷偶联剂皮膜的方法。

背景技术

以往，在印刷线路板的制造中，为了提高由铜或铜合金等的金属形成的导体表面与阻焊剂、预浸料等的绝缘树脂的密合性，进行在金属表面形成硅烷偶联剂的皮膜。在向金属表面形成硅烷偶联剂皮膜时，进行将硅烷偶联剂溶于水、有机溶剂等中，将该液体涂布于金属表面后使其干燥的工序。

作为已有技术，例如在特开平5-304361号公报中公开了下述内容：(1)偶联处理(将含有硅烷偶联剂的液体向金属表面涂布)后，使其自然干燥1小时，然后在80℃下干燥处理3小时；(2)偶联处理后，放置一昼夜，然后在80℃下干燥处理3小时；(3)偶联处理后，放置一昼夜，然后在100℃下干燥处理3小时；(4)偶联处理后，放置一昼夜，然后在120℃下干燥处理1小时。另外，在特开平6-37452号公报的[0012]段中，公开了使金属浸渍于硅烷偶联剂中，不将其水洗而在120-140℃下干燥30分钟的内容。另外，在特开平7-212039号公报的[0024]段中，公开了在硅烷偶联处理后，在155℃以上进行烘烤处理(5～180分钟左右)的内容。

这样，如果仅是通过浸渍、喷射处理等进行涂布后，进行为了将硅烷偶联剂和金属表面结合而通常实施的100℃～120℃下30分钟～60分钟的干燥，则由于过剩附着的硅烷偶联剂固着，而会有在金属表面产生处理液不均的情况。如果存在这样的液体不均，则有时会影响后续工序。

例如，在进行Ni-Au镀时，有必要在除去硅烷偶联剂及铜表面的表面处理(镀锡或粘合性提高层等)后来实施，但有由于硅烷偶联剂不均匀地附着而除去不能正常进行等问题。

为了防止这样的处理不均、形成均匀的硅烷偶联剂皮膜，进行了(1)通过在浸渍处理后、干燥前进行水洗处理来冲洗过量的硅烷偶联剂；或(2)利用旋涂进行涂布处理等。例如，在特开2007-35995号公报的[0053]段中，公开了使金属浸渍于硅烷偶联剂中1分钟，水洗后在100℃下干燥30分钟的内容。另外，在特开平7-115275号公报的[0013]段中，公开了使金属浸渍于硅烷偶联剂中1分钟，水洗后在100℃下干燥30分钟的内容。

然而，(1)在浸渍后、干燥前进行水洗处理时，由于是在硅烷偶联剂与金属表面形成共价键前进行水洗处理，因而连必要量的硅烷偶联剂也被冲洗掉，从而有表面的硅烷量减少等的问题。另外，(2)在利用旋涂进行涂布处理时，由于不能利用像以往在印刷线路板的制造中所使用那样的一系列运输程序进行基板搬运，而且，有必要使基板高速旋转，因而存在基板面积也受到限制等的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述以往问题而完成的，其目的是提供没有涂布不均、均匀且保持有充足的表面硅烷量的硅烷偶联剂皮膜的形成方法。

本发明的硅烷偶联剂皮膜的形成方法(以下简称为“形成方法”)的特征为，在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜，包括以下工序：在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序；将涂布了所述液体的金属表面，在25～150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序；和将干燥的金属表面进行水洗的工序。

本发明由于具有过剩部分的硅烷偶联剂不固着的条件、即25～150℃的温度且5分钟以内的简易干燥工序，因而仅使存在于金属表面附近的硅烷偶联剂与金属结合，用随后的水洗处理冲洗固着前的过剩硅烷偶联剂，从而可以在金属表面上形成没有涂布不均、均匀且保持有充足的表面硅烷量的硅烷偶联剂皮膜。

附图说明

图1(a)～1(d)：是显示本发明的形成方法的一种实施方式的工序的截面说明图。

图2(a)～2(c)：是显示以往的形成方法的工序的截面说明图。

具体实施方式

在本发明的形成方法中，向金属表面利用浸渍、喷射等进行硅烷偶联剂的涂布处理后，暂时插入过剩的硅烷偶联剂不固着的温度/时间下的简易的干燥工序后，进行水洗处理。通过在涂布处理和水洗处理之间插入过剩部分的硅烷偶联剂不固着的条件下的简易干燥工序，仅使存在于金属表面附近的硅烷偶联剂与金属结合，用随后的水洗处理冲洗固着前的过剩硅烷偶联剂，从而可以在金属表面上形成没有涂布不均、均匀且保持有充足的表面硅烷量的硅烷偶联剂皮膜。

即，向金属表面进行硅烷偶联剂的涂布处理(利用浸渍法、喷射法等进行涂布处理)后，进行过剩的硅烷偶联剂不固着的25℃～150℃的温度、5秒～5分钟左右、优选30～150秒的简易干燥工序，用随后的水洗冲洗固着前的过剩部分，从而可以形成没有涂布不均、均匀且保持有充足的表面硅烷量的硅烷偶联剂皮膜。