[发明专利]用于操作负载的装置和方法无效

专利信息
申请号: 200810125225.4 申请日: 2008-06-16
公开(公告)号: CN101610631A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 罗志刚;杜超洪 申请(专利权)人: 奥斯兰姆有限公司
主分类号: H05B41/38 分类号: H05B41/38;H05B41/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 李春晖;李德山
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 操作 负载 装置 方法
【权利要求书】:

1、一种用于操作负载的装置(100),包括:

可变电压产生单元(110),其被配置成根据所述用于操作负载的装置(100)的供电电源按照至少一个预定的时间间隔的关断和接通来产生可变输出电压,所述至少一个预定的时间间隔是在所述负载当前工作状态下所述供电电源每一次从关断到接通所经历的时间;和

驱动单元(120),其被配置成响应于所述可变电压产生单元产生的可变输出电压来改变其用于操作负载的输出驱动信号,以使得所述负载在与所述可变输出电压对应的一种以上状态下工作。

2、如权利要求1所述的用于操作负载的装置,其中,所述可变电压产生单元包括

延时子单元,其被配置成生成与所述供电电源按照所述至少一个预定的时间间隔的关断和接通相对应的、可变电压产生单元的延时状态;和

电压切换子单元,其被配置成根据所述延时子单元所产生的延时状态来切换由所述可变电压产生单元所产生的可变输出电压。

3、如权利要求2所述的用于操作负载的装置,其中,

所述可变电压产生单元被配置成可产生第一输出电压V1、第二输出电压V2和第三输出电压V3,以及,所述驱动单元被配置成使得所述负载在分别与所述第一输出电压V1、第二输出电压V2和第三输出电压V3对应的第一输出功率P1、第二输出功率P2和第三输出功率P3下工作,其中,满足以下关系:

V1>V2>V3,P1>P2>P3

4、如权利要求3所述的用于操作负载的装置,其中

所述延时子单元包括:所述供电电源经过整流后获得的直流电源(VDC),第一电阻(R19)和第二电阻(R20)构成所述驱动单元(120-1)的启动网络,该启动网络连接在所述直流电源(VDC)与驱动单元(120-1)的电源输入端(VCC)之间,第一晶体管(Q5)的集电极连接到第一电阻(R19)和第二电阻(R20)的中间接点,第一晶体管(Q5)的发射极接地,第三电阻(R15)连接在第一晶体管(Q5)的基极和第二晶体管(Q2)的集电极之间,第四电阻(R8)连接于直流电源(VDC)和第二晶体管(Q2)的集电极之间,第一电容(C5)连接于第二晶体管(Q2)的集电极和地之间,第二晶体管(Q2)的发射极接地,第五电阻(R6)连接于第二晶体管(Q2)的基极和第一齐纳二极管(Z2)的阳极之间;以及

所述电压切换子单元包括:第一齐纳二极管(Z2)的阴极连接于第六电阻(R2)和第一可控硅整流器(SCR1)的阴极之间的接点,第六电阻(R2)的另一端接地,第七电阻(R1)连接于第一可控硅整流器(SCR1)的阳极和直流电源(VDC)之间,第八电阻(R17)连接于驱动单元(120-1)的电源输入端(VCC)和第三晶体管(Q1)的基极之间,第九电阻(R3)和第十电阻(R4)的中间接点连接到第三晶体管(Q1)的集电极,第九电阻(R3)的另一端接地,第十电阻(R4)的另一端接直流电源(VDC),第三晶体管(Q1)的发射极接地,第二齐纳二极管(Z1)的阴极连接于第九电阻(R3)和第十电阻(R4)的中间接点,第二齐纳二极管(Z1)的阳极接第一二极管(D1)的阳极,第一二极管(D1)的阴极接第一可控硅整流器(SCR1)的栅极,第二电容(C3)连接于第一可控硅整流器(SCR1)的栅极和地之间,第二二极管(D2)的阳极接第一齐纳二极管(Z2)的阳极,第三电容(C4)连接于第二二极管(D2)的阴极和地之间,第十一电阻(R5)连接于第二二极管(D2)的阴极和第二可控硅整流器(SCR2)的栅极之间,第二可控硅整流器(SCR2)的阳极接第一可控硅整流器(SCR1)的阳极,第十二电阻(R7)连接于第二可控硅整流器(SCR2)的阴极和地之间,第十三电阻(R9)和第十四电阻(R10)的串联电路连接于第一可控硅整流器(SCR1)的阳极和地之间,第十三电阻(R9)和第十四电阻(R10)的中间接点连接到驱动单元(120-1)的可变电压输入端(VDIM),第十五电阻(R11)连接于第四晶体管(Q3)的基极和第二齐纳二极管(Z2)的阳极之间,第四晶体管(Q3)的发射极接地,该第四晶体管(Q3)的集电极连接于第十六电阻(R13)和第十七电阻(R14)的串联电路的中间接点,该串联电路连接于直流电源(VDC)和地之间,第十八电阻(R12)连接于第四晶体管(Q3)的集电极和第五晶体管(Q4)的基极之间,第十九电阻(R16)连接于第二可控硅整流器(SCR2)的阴极和第五晶体管(Q4)的集电极之间,第五晶体管(Q4)的发射极接地。

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