[发明专利]膜层、膜层的沉积方法和具有该膜层的薄膜光伏器件

权利要求书

1.一种膜层，所述膜层位于玻璃基板表面，其特征在于：所述膜层为包括至少两层透明导电氧化物层的叠层结构，所述叠层结构中的与所述基板相接的透明导电氧化物层的表面为高绒性，其余各所述透明导电氧化物层的表面为高绒性而且分别具有高透明度和/或高导电率；且在所述基板上依次叠加的透明导电氧化物层的绒性依次增大。

2.如权利要求1所述的膜层，其特征在于：所述透明导电氧化物层为氧化锡或掺杂的氧化锡。

3.如权利要求1所述的膜层，其特征在于：所述膜层的厚度为600纳米～1000纳米。

4.一种膜层的沉积方法，所述方法在具有至少两组能够喷出源气体混合物的喷嘴的沉积设备中进行，所述方法包括：

提供玻璃基板，将玻璃基板置于一组喷嘴的下方；

所述喷嘴喷出第一源气体混合物在玻璃基板表面沉积薄膜；

将所述玻璃基板移动至另一组喷嘴的下方；

该另一组喷嘴喷出第二源气体混合物在玻璃基板表面沉积薄膜；其中，所述第二源气体混合物在玻璃基板表面沉积的薄膜相对于第一源气体混合物在玻璃基板表面沉积的薄膜具有更高的绒性。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述第一源气体混合物包括四氯化锡(SnCl₄)和/或四甲化锡(Sn[CH₃]₄)、水蒸气和/或氧气、氢碳氧化合物和氢氟酸。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述第二源气体混合物包括四氯化锡(SnCl₄)和/或四甲化锡(Sn[CH₃]₄)、水蒸气和/或氧气、氢碳氧化合物、氢氟酸和/或氟气、氢气、以及含硼或磷的化合物。

7.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于：所述玻璃基板的温度为550℃～650℃。

8.如权利要求4或6所述的方法，其特征在于：所述玻璃基板的温度为500℃～600℃。

9.一种薄膜光伏器件，包括玻璃基板、透明导电前电极，至少一个氢化硅薄膜p-i-n光电单元，和背电极，其特征在于：所述透明导电前电极为包括至少两层透明导电氧化物层的叠层结构，所述叠层结构中的与所述基板相接的透明导电氧化物层的表面为高绒性，其余各所述透明导电氧化物层不但表面为高绒性而且分别具有高透明度和/或高导电率；其中，沿光入射方向所述透明导电氧化物层的绒性逐渐增大。

10.如权利要求9所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述透明导电氧化物层为氧化锡或掺杂的氧化锡。