[发明专利]与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器

权利要求书

1.一种单层多晶硅非易失性存储器单元，包括：

具有编程端子的编程晶体管；

具有感测端子的感测晶体管；以及

具有擦除端子的擦除晶体管，

其中，所述感测晶体管与所述编程晶体管和所述擦除晶体管共享浮栅。

2.如权利要求1所述的单层多晶硅非易失性存储器单元，其中所述擦除晶体管的栅极区分别比所述编程晶体管和所述感测晶体管的栅极区小得多。

3.如权利要求1所述的单层多晶硅非易失性存储器单元，其中所述编程晶体管、所述感测晶体管和所述擦除晶体管是PMOSFET。

4.如权利要求1所述的单层多晶硅非易失性存储器单元，其中所述编程晶体管、所述感测晶体管和所述擦除晶体管中的每一个驻留在单独的NWELL中。

5.如权利要求1所述的单层多晶硅非易失性存储器单元，其中所述编程晶体管、所述感测晶体管和所述擦除晶体管具有在范围的基本上相同的栅极氧化物厚度。

6.如权利要求1所述的单层多晶硅非易失性存储器单元，其中所述共享浮栅上的电势从所述编程端子、所述擦除端子和所述感测端子容性耦合。

7.如权利要求1所述的单层多晶硅非易失性存储器单元，其中所述单层多晶硅非易失性存储器单元是以单层多晶硅构成的。

8.一种单层多晶硅非易失性储存器件，包括：

多个单元，每个单元包括：

具有编程端子的编程晶体管；

具有感测端子的感测晶体管；以及

具有擦除端子的擦除晶体管，

其中，所述感测晶体管与所述编程晶体管和所述擦除晶体管共享浮栅。

9.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述擦除晶体管的栅极区分别比所述编程晶体管和所述感测晶体管的栅极区小得多。

10.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述编程晶体管、所述感测晶体管和所述擦除晶体管是PMOSFET。

11.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述编程晶体管、所述感测晶体管和所述擦除晶体管中的每一个驻留在单独的NWELL中。

12.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述编程晶体管、所述感测晶体管和所述擦除晶体管具有在范围的基本上相同的栅极氧化物厚度。

13.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述共享浮栅上的电势容性耦合到所述编程端子、所述擦除端子和所述感测端子容性耦合。

14.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中每个所述单元是以单层多晶硅构成的。

15.如权利要求8所述的单层多晶硅非易失性储存器件，还包括：

编程机制；

擦除机制；以及

读取机制。

16.如权利要求15所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述编程机制通过向所述编程端子施加第一电压来起作用，其中所述第一电压不高于5V。

17.如权利要求15所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述擦除机制通过向所述擦除端子施加第二电压来起作用，其中所述第二电压不高于7V。

18.如权利要求15所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述读取机制以无需任何外部高电压供应的方式起作用。

19.如权利要求15所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述编程机制通过沟道热电子注入起作用。

20.如权利要求15所述的单层多晶硅非易失性储存器件，其中所述擦除机制通过福勒-诺德海姆隧穿起作用。