[发明专利]侧向DMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造侧向双扩散MOSFET的方法，包括：

提供第一导电型半导体衬底，其具有有源区和场区；

然后在所述第一导电型半导体衬底上形成第二导电型深阱；

然后形成第二导电型调节层，其位于所述第一导电型半导体衬底上的所述第二导电型深阱中，其中，所述第二导电型调节层用来降低侧向双扩散MOSFET的导通电阻；

然后在所述第二导电型深阱中形成第一导电型体；

然后在所述场区和所述有源区中的所述第一导电型半导体衬底上形成绝缘层；

然后在所述有源区中的所述第一导电型半导体衬底上形成栅极区；

然后在所述第一导电型体中形成第二导电型源极区；以及

然后在所述第二导电型深阱中形成第二导电型漏极区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电型深阱包括：

使用杂质来实施离子注入。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电型调节层包括：

使用杂质来实施离子注入；以及

然后实施扩散处理。

4.根据权利要求1所述的方法，在形成所述第二导电型深阱和所述第二导电型调节层之前，进一步包括：

在所述第一导电型半导体衬底上形成第二导电型埋层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电型深阱包括：

在为形成所述第二导电型深阱而实施所述离子注入时，通过对所述第一导电型半导体衬底涂覆掩模来形成深阱切除区。

6.根据权利要求1所述的方法，在形成所述第二导电型深阱之前，进一步包括：

在所述第一导电型半导体衬底上形成第一导电型外延层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电型深阱包括：

使用砷来实施离子注入。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电型调节层包括：

使用磷来实施离子注入。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电型体包括：

使用硼使用光刻胶来实施离子注入；

然后在不去除所述光刻胶的情况下实施硬烤处理；以及

然后使用砷来实施离子注入。

10.一种侧向双扩散MOSFET，包括：

第一导电型半导体衬底，其具有有源区和场区；

第二导电型深阱，其形成在所述第一导电型半导体衬底上；

第二导电型调节层，其位于所述第二导电型深阱中，其中，所述第二导电型调节层用来降低侧向双扩散MOSFET的导通电阻；

第一导电型体，其形成在所述第二导电型深阱中；

绝缘层，其形成在所述场区和所述有源区中的所述第一导电型半导体衬底上；

栅极区，其形成在所述有源区中的所述第一导电型半导体衬底上；

第二导电型源极区，其形成在所述第一导电型体上；以及

第二导电型漏极区，其形成在所述第二导电型深阱中。

11.根据权利要求10所述的侧向双扩散MOSFET，进一步包括第二导电型埋层，其形成在所述第二导电型深阱的下面。

12.根据权利要求10所述的侧向双扩散MOSFET，进一步包括位于所述第二导电型深阱中的深阱切除区。

13.根据权利要求12所述的侧向双扩散MOSFET，其中，所述深阱切除区具有3到5μm之间的宽度。

14.根据权利要求12所述的侧向双扩散MOSFET，其中，所述深阱切除区具有4μm的宽度。

15.根据权利要求10所述的侧向双扩散MOSFET，进一步包括第一导电型外延层，其形成在所述第一导电型半导体衬底上。

16.根据权利要求15所述的侧向双扩散MOSFET，其中，所述第一导电型外延层具有7.5到8.0μm之间的厚度。

17.根据权利要求10所述的侧向双扩散MOSFET，其中，所述第二导电型深阱由砷离子形成。

18.根据权利要求10所述的侧向双扩散MOSFET，其中，所述第二导电型调节层由磷离子形成。