[发明专利]硅化合物、多层布线装置及其制造方法

权利要求书

1.多层布线装置的制造方法，其包括：

在基板上或上方形成多孔绝缘膜前体层；

形成硅化合物的层；和

通过硅化合物层将所述多孔绝缘膜前体在UV下曝光，

所述硅化合物由式1表示的聚碳硅烷、式2表示的聚硅氮烷或它们的 混合物组成，其中硅化合物中的R¹～R³至少一个被其它基团取代，且其在 210nm或以下的UV吸收率高于未取代的硅化合物：

其中，在式1中，R¹和R²相同或不同，每一个表示为氢原子或任选 取代的烷基、烯基、环烷基或芳基，n是10～1000的数值；在式2中，R¹、 R²和R³相同或不同，每一个表示为氢原子或任选取代的烷基、烯基、环 烷基或芳基，但取代基R¹、R²和R³中的至少一个为氢原子，n是用于获 得数均分子量为100～50,000的硅氮烷聚合物所需的重覆单元数目；式1 和式2中的符号彼此独立。

2.根据权利要求1所述的多层布线装置的制造方法，其中使用涂覆 式硅石团簇前体形成所述的多孔绝缘膜前体层。

3.根据权利要求2所述的多层布线装置的制造方法，其中所述涂覆 式硅石团簇前体通过四级烷基胺的水解制得。

4.根据权利要求1所述的多层布线装置的制造方法，其中UV光源 的波长范围为200～800nm。

5.根据权利要求4所述的多层布线装置的制造方法，其中波长范围 为200～800nm的UV光源为高压泵灯、金属卤化物灯、氙灯或氘灯。

6.根据权利要求4所述的多层布线装置的制造方法，其中波长范围 为200～800nm的UV光源为无臭氧高压泵灯。

7.根据权利要求1所述的多层布线装置的制造方法，其中所述的在 UV下曝光是利用光谱辐射计测得的强度为1mW/cm²或以上、波长为254 nm的UV在曝光表面上进行。

8.根据权利要求1所述的多层布线装置的制造方法，其中所述的在 UV下曝光是在50～470°C加热下进行。

9.多层布线装置，其由权利要求1所述的方法制造。