[发明专利]具有非均匀切口的换能器阵列

权利要求书

1.一种多维换能器阵列包括：

多个元件(110，120)；及

用于声隔离这些元件的第一与第二切口(130，140)，其中第一切口(130)的第一宽度大于第二切口(140)的第二宽度。

2.根据权利要求1的阵列，其中所述元件(110，120)分别包括至少两层换能器材料。

3.根据权利要求2的阵列，其中所述换能器材料(220)是压电陶瓷材料。

4.根据权利要求1的阵列，其中所述多个元件(110，120)包括至少两个分别包含多个次要元件(120)的主要元件(110)，其中次要元件(120)之间通过具有小于第一宽度的第二宽度的第二切口(140)声隔离，并且该至少两个主要元件(110)之间通过第一切口(130)声隔离。

5.根据权利要求1的阵列，其中所述多个元件(110，120)包括至少两个分别包括多个次要元件(120)的主要元件(110)，其中第二切口(140)包括从至少两个主要部件(110)之一的第一水平边延伸到第二水平边的切割。

6.根据权利要求1的阵列，其中第一切口(130)的第一宽度大约是150微米，第二切口(140)的第二宽度大约是50微米。

7.根据权利要求6的阵列，其中所述多个元件(110，120)包括排列为M×N多维阵列的主要元件(110)，每一个主要元件(110)包括多个次要元件(120)，其中主要元件的间隔对应于大约为2.75*C MHz的运行频率，C为一个表示运行频率的倍增因子的常数系数。

8.一种多维的超声换能器阵列，包括；

通过多个主要切口(130)彼此声及电隔离的多个主要元件(110)，其中该多个主要元件(110)是多维分布；及

在多个主要元件(110)的每一个中通过多个次要切口(140)形成的多个次要元件(120)，其中该多个主要切口(130)的宽度大于多个次要切口(140)的宽度。

9.根据权利要求8的阵列，其中多个主要元件(110)之一包括通路(150)，主要元件(110)中的每个次要元件(120)电连接并且可作为单一元件操作。

10.根据权利要求8的阵列，其中多个次要切口(140)之一的宽度与该多个次要切口(140)中另外一个次要切口(140)的宽度不同。

11.根据权利要求8的阵列，其中多个主要切口(130)之一的宽度与该多个主要切口(130)中另外一个主要切口(130)的宽度不同。

12.根据权利要求8的阵列，其中多个主要元件(110)在超声传感器探针(100)中。

13.根据权利要求8的阵列，其中每一个次要切口(140)的宽度至少大约为20微米并小于100微米，并且其中主要切口(130)的宽度至少大约为100微米。

14.一种制造多维换能器阵列的方法，该方法包括：

在换能器材料(220)层中切割(401)出第一切口宽度，

在该换能器材料(220)层中切割(411)出与第一切口宽度不同的第二切口宽度。

15.根据权利要求14的方法，其中对第一和第二切口宽度的切割(401，411)包括使用具有第一切口宽度的第一刃，及使用具有第二切口宽度的第二刃，第二切口宽度小于第一切口宽度。

16.根据权利要求14的方法，其中两个切割步骤(401，411)均包括相同的刃，使用多次切割以形成大于第二切口宽度的第一切口宽度。

17.根据权利要求14的方法，第一切口宽度的切割(401)包括形成主要元件(110)，第二切口宽度的切割(411)包括在主要元件(130)中形成次要元件(120)，第一切口宽度大于第二切口宽度。

18.根据权利要求17的方法，其中第二切口宽度的切割(411)包括在主要元件(110)中形成3×3布置的次要元件(120)。

19.根据权利要求17的方法，进一步包括：

在主要元件(110)中电互连(421)次要元件(120)，主要元件(110)可操作为实现与束形成通道的连接。

20.根据权利要求14的方法，其中在换能器材料(220)层中切割(401，411)出第一切口宽度及第二切口宽度包括形成阶梯式切口。