[发明专利]微电子机械微波频率检测器及其制备方法无效
申请号: | 200810155336.X | 申请日: | 2008-10-17 |
公开(公告)号: | CN101387664A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 廖小平;张俊 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01R23/12 | 分类号: | G01R23/12;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微电子 机械 微波 频率 检测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种微电子机械微波频率检测器,其特征在于该检测器以砷化镓为衬底,在衬底上设有一分三功率分配器(a)、共面波导传输线(b)、二合一功率合成器(c)、固支梁结构(d)和热耦结构(e):
一分三功率分配器(a)由共面波导构成的端口一(1)、端口二(2)、端口三(3)、端口四(4)、不对称共面带线(5)和氮化钽电阻(6)组成,端口一(1)通过不对称共面带线(5)分别接端口二(2)和端口三(3),通过共面波导结构接端口(4),在与端口二(2)、端口四(4)之间和端口三(3)、端口四(4)之间相接的带线之间连接有氮化钽电阻(6);
二合一功率合成器(c)由共面波导构成的端口一(7)、端口二(8)、端口三(9)、不对称共面带线(5)和氮化钽电阻(6)组成,端口一(7)和端口二(8)通过不对称共面带线(5)分别接端口三(9),在与端口一(7)和端口二(8)相接的两不对称共面带线(5)之间连接有氮化钽电阻(6);
固支梁结构(d)以砷化镓为衬底,在衬底上的中间设有CPW的信号线(11),在CPW的信号线(11)的两旁分别设有CPW的地线(10),在CPW的信号线(11)外的两旁分别设有传感电极(15),传感电极(15)通过传感电极引线穿通膜桥(13)接电容检测端口(12)的一个端,CPW的地线(10)接电容检测端口(12)的另一个端,在CPW地线(10)中央设有在固支梁(14),在固支梁14下方的CPW的信号线(11)、传感电极引线穿通膜桥(13)下的信号传输线和传感电极(15)表面设有氮化硅介质层(16)。
热耦结构(e)由共面波导的末端并联两个热阻(17),贴近热阻的热耦对(18),增加冷端温度稳定性的金属块(19)组成,热耦的冷热段分别连接到热耦电压检测端口(20)上。
2、一种如权利要求1所述的微电子机械微波频率检测器的制备方法,其特征在于制备方法为:
1)准备砷化镓衬底;选用的是未掺杂的半绝缘砷化镓衬底,
2)在砷化镓衬底上淀积氮化钽,
3)光刻并刻蚀氮化钽,形成一分三功率分配器和二合一功率合成器的匹配电阻,即氮化钽电阻(6),
4)光刻;去除需制作一分三功率分配器(a)、共面波导传输线(b)、二合一功率合成器(c)、固支梁的桥墩结构处和热耦结构(e)处的光刻胶,
5)溅射金,剥离去除光刻胶;形成一分三功率分配器(a)、二合一功率合成器(c)、共面波导传输线(b)、传感电极(15)和固支梁的桥墩,金的厚度为0.3μm,
6)淀积氮化硅介质层;用等离子体增强化学气相淀积法工艺生长1000埃的氮化硅介质层(16),
7)光刻并刻蚀氮化硅介质层;保留固支梁(14)下方CPW的信号线(11)、CPW的地线(10)和传感电极(15)上的氮化硅(SiN)介质层(16),
8)淀积并光刻聚酰亚胺牺牲层;在砷化镓衬底上涂覆1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层,要求填满凹坑,聚酰亚胺牺牲层的厚度决定了固支梁(14)与氮化硅介质层(16)所在平面之间距离,光刻聚酰亚胺牺牲层,仅保留固支梁(14)下的牺牲层,
9)溅射钛/金/钛;溅射用于电镀一分三功率分配器(a)、二合一功率合成器(c)、共面波导传输线(b)、固支梁结构(d)和热耦结构(e)的底金钛/金/钛=500/1500/300埃,
10)光刻钛/金/钛;去除一分三功率分配器(a)、二合一功率合成器(c)、共面波导传输线(b)、固支梁结构(d)和热耦结构(e)以外的光刻胶,
11)电镀金;电镀金的厚度为2μm,
12)去除光刻胶,
13)反刻金层,腐蚀底金层,形成一分三功率分配器(a)、二合一功率合成器(c)、共面波导传输线(b)、固支梁结构(d)和热耦结构(e),
14)释放牺牲层;用显影液溶解固支梁结构下方的聚酰亚胺牺牲层,并用无水乙醇脱水,形成悬浮的固支梁结构(d)。
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