[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 200810175393.4 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101436594A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;夏目秀隆 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
1.一种半导体集成电路，包括：
多个驱动电路，其根据控制信号用从第一电源提供的第一电压或者从第二电源提供的第二电压驱动各自多个字线；
多个栅极晶体管，在所述栅极晶体管的每个中，栅极连接到所述多个字线的中的一个，并且在储存结点和位线之间的连接状态基于提供给与所述栅极连接的所述字线的电压而变化；以及
控制电路，其经由所述多个栅极晶体管中的一个控制对于储存结点的数据写入或数据读取，其中，
所述多个栅极晶体管中的每个的栅极氧化物膜比构成所述多个驱动电路的晶体管中的每个的栅极氧化物膜薄。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述多个栅极晶体管处于未被选择的状态中的时段比所述多个栅极晶体管处于被选择的状态的时段长。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述第一和第二电压中较高的一个的电压比所述控制电路的电源电压高。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述第一和第二电压中较低的一个的电压比所述控制电路的地电压低。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述第一和第二电压之间的电压差比所述控制电路的电源电压和地电压之间的电压差大。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述多个栅极晶体管中的每个的所述栅极氧化物膜比构成所述控制电路的晶体管的栅极氧化物膜厚。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述多个栅极晶体管中的每个的所述栅极氧化物膜与构成所述控制电路的晶体管的栅极氧化物膜具有基本上相同的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体集成电路，进一步包括：
功能电路，其与所述多个驱动电路、所述多个栅极晶体管和所述控制电路一起形成在半导体衬底上，其中
所述功能电路由具有不同栅极氧化物膜厚度的晶体管形成。
9.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
所述多个驱动电路形成在被分割以夹持形成有所述多个栅极晶体管的区域的一区域中。
10.一种半导体集成电路，包括：
DRAM单元；
字线，其连接到所述DRAM单元中包括的栅极晶体管的栅极；以及
驱动电路，其驱动所述字线，其中，
在所述驱动电路中的所述晶体管具有比所述栅极晶体管的栅极氧化物膜厚的栅极氧化物膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
