[发明专利]电子器件、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810187081.5 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101442059A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/417;H01L27/32;H01L27/15;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有源矩阵液晶显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，所述基绝缘膜包含氮化硅；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
形成于所述基绝缘膜上方的栅电极；和
位于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和 Zn的氧化物；和
位于所述半导体膜上方的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包含氮化 硅；和
位于所述层间绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极与所述薄膜 晶体管电连接。
2.一种有源矩阵EL显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，所述基绝缘膜包含氮化硅；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
形成于所述基绝缘膜上方的栅电极；
位于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和 Zn的氧化物；和
位于所述半导体膜上方的层间绝缘膜；
位于所述层间绝缘膜上方的像素电极，所述像素电极与所述薄膜 晶体管电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
