[发明专利]焊接触点及其形成方法无效
申请号: | 200810187362.0 | 申请日: | 2008-12-29 |
公开(公告)号: | CN101521170A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 艾尔弗雷德·马丁;芭芭拉·哈斯勒;马丁·弗拉诺施;克劳斯-京特·奥珀曼 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/482 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李 慧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊接 触点 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成到衬底的焊接触点的方法,所述方法包括:
在所述衬底的表面上提供第一范围,其中,所述第一范 围通过焊接材料阻止潮湿;
在所述衬底的所述表面上提供第二范围,其中,所述第 二范围可通过所述焊接材料变潮湿;
在所述表面上提供结构层,其中,所述结构层包括到所 述衬底的开口,以及其中,所述开口至少部分地露出所述第一 范围和所述第二范围;
通过所述焊接材料填充所述开口,从而所述焊接材料与 所述第一范围和所述第二范围接触;以及
使所述焊接材料液化,从而所述焊接材料从所述第一范 围中排出,并且使所述焊接材料的一部分从所述开口突出,其 中,所述焊接材料的该部分形成所述焊接触点。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,提供所述第二范围包括在 所述衬底的所述表面上提供金属化焊盘。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过所述焊接材料填充所 述开口包括:
在所述开口中提供第一压力;
为所述开口的孔提供液化的焊接材料;以及
为所述液化的焊接材料提供第二压力,其中,所述第二 压力大于所述第一压力,从而通过所述焊接材料来填充所述开 口。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述开口填充有液态焊接 材料、液化焊接材料、粒状焊接材料、粉状焊接材料和糊状焊 接材料的组中的任意焊接材料。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,提供所述结构层包括:
提供光刻胶层;
将所述光刻胶层暴露于掩蔽辐射;以及
去除所述开口区域中所述光刻胶层的一部分,以形成所 述结构层。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,从所述开口突出的所述焊 接材料的部分被固化,以形成焊球。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,从所述开口突出的所述焊 接材料的部分被焊接到电路板、印刷电路板、母板、模块板和 芯片载体的组中任意一个的接触焊盘,从而形成从所述衬底到 所述接触焊盘的焊接触点。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括在通过所 述焊接材料填充所述开口之后,去除所述焊接材料上的氧化 物。
9.一种制造集成电路的方法,所述方法包括:
提供衬底,其中,所述衬底包括功能电路;
在所述衬底的表面上提供金属化焊盘,其中,所述金属 化焊盘连接至所述功能电路;
在所述表面上提供结构层,其中,所述结构层包括开口, 其中,所述开口至少部分地露出所述金属化焊盘和所述衬底的 表面;
通过焊接材料来填充所述开口,从而使所述焊接材料与 第一范围和第二范围接触;以及
液化所述焊接材料,从而使所述焊接材料在所述开口中 从所述衬底的所述表面拉出,并且使所述焊接材料的一部分从 所述开口突出,所述焊接材料的该部分形成焊球。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,通过所述焊接材料填充所 述开口还包括:
提供液体焊接材料池;
在所述结构层的所述开口和所述池的顶部提供第一压 力;
将具有所述衬底的所述结构层浸入所述池中,从而用所 述池覆盖所述开口的孔;
为所述池提供第二压力,其中,所述第二压力大于所述 第一压力,从而通过所述焊接材料来填充所述开口;以及
从所述池中取出具有所述结构层的所述衬底。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,在从所述池中取出之后, 所述衬底和所述结构层被冷却,从而固化所述开口中的焊接材 料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造