[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在支撑基片上形成种子金属层；

在所述种子金属层上形成绝缘树脂层；

使用所述种子金属层作为供给层，通过电镀在所述绝缘树脂层中形成通孔插塞；

在所述绝缘树脂层和所述通孔插塞上形成粘性导电薄膜；

形成包括通过所述粘性导电薄膜在所述绝缘树脂层和所述通孔插塞上形成的第一互连的互连层；

在形成所述互连层之后除去所述支撑基片；和

在除去所述支撑基片之后，对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。

2.如权利要1所述的方法，

其中所述的形成所述绝缘树脂层的步骤包括：将绝缘树脂涂覆到所述种子金属层然后烘焙所述绝缘树脂。

3.如权利要1所述的方法，

其中所述的形成所述绝缘树脂层的步骤包括：使用光敏聚酰亚胺树脂作为所述绝缘树脂；并且

所述的形成所述通孔插塞的步骤包括：通过光刻蚀法形成用于所述通孔插塞的导通孔。

4.如权利要1所述的方法，还包括：

在所述的除去所述支撑基片的步骤之前，在所述互连层上固定多个半导体芯片；和

形成密封树脂，从而所述密封树脂共同地覆盖所述多个半导体芯片。

5.如权利要1所述的方法，

其中所述的对所述种子金属层进行图形化的步骤包括：通过湿蚀刻对所述种子金属层进行图形化。

6.如权利要1所述的方法，还包括：

在所述除去所述支撑基片的步骤之后，使用所述种子金属层作为供给层，通过电镀在所述种子金属层上形成金属膜。

7.如权利要1所述的方法，还包括：

通过化学镀方法在所述第二互连上形成金属膜。