[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本申请是申请日为2006年7月26日、申请号为200610107566.X、题为“半导体装置及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。

本申请基于日本专利申请第2005-215409号，其内容通过参考在此被并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

到目前为止所研发的制造半导体器件的方法包括在日本未审专利申请第2005-101137号(专利文献1)和第H08-167629号(专利文献2)中所公开的方法。根据前者，互连层形成在超薄铜箔上，该超薄铜箔配置在由支撑层和载体铜箔所构成的支撑基片上。然后在分界面处将支撑基片从超薄铜箔上剥离，因而使得支撑基片与互连层分离，此后从互连层上除去超薄铜箔。

根据后者，在转移基片上以预定图案形成互连，并且在其上放置了半导体基片的情况下，该互连被密封在树脂中。然后在转移基片与互连之间的分界面处将转移基片从互连上剥离，因此使得转移基片与半导体封装分离。

发明内容

本发明的发明人发现前述现有技术具有以下缺点。通过根据专利文献1的方法，超薄铜箔最终被从互连层上除去，因而使得超薄铜箔变成废品。这会导致半导体器件制造费用的增加。

根据专利文献2，它是一个形成于转移基片上的经图形化的互连层。因此，当在第一互连上提供绝缘层之后，在这个互连上形成另一互连从而建立互连层的时候，由于形成在转移基片上的第一互连的不平整性而导致该互连层的平面度劣化。

根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑基片上形成种子金属层；在所述种子金属层上形成包括第一互连的互连层；在形成所述互连层之后除去所述支撑基片；和在除去所述支撑基片之后，对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。

通过这样安排的方法，在种子金属层上对互连进行图形化，以由此形成第二互连。这种方法允许使用种子金属层作为将被制造的半导体器件中的互连，而不是作为废品被除去。而且，除了该种子金属层以外，该方法不需要提供用于形成第二互连的任何额外的金属层。因此，所提出的方法抑制了制造费用的增加。

而且在对其图形化之前，在种子金属层上形成互连层。因此，该互连层形成于平坦的种子金属层上，因而该互连层获得了较高的平面度。

根据本发明，提供了一种半导体器件，包括：绝缘树脂层，其配置有第一通孔插塞；粘性导电薄膜，其配置在所述绝缘树脂层和所述第一通孔插塞的第一表面上；第一互连，其配置在所述粘性导电薄膜上并且电连接到所述第一通孔插塞；以及第二互连，其直接配置在所述绝缘树脂层的第二表面上并且电连接到所述第一通孔插塞。

因此，本发明提供了一种半导体器件，其包括：具有较高平面度的互连层，以及制造这种半导体器件的方法，而没有引起任何制造成本的增加。

附图说明

结合附图根据以下详细的描述可以清楚了解本发明的上述和其它目的、优点和特性，其中：

图1示出了根据本发明实施例的半导体器件的横截面示意图；

图2A和2B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图；

图3A和3B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图；

图4A和4B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图；

图5A和5B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图；

图6示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图；

图7示出了根据比较例子的半导体器件的横截面示意图；

图8示出了根据另一比较例子的半导体器件的横截面示意图；

图9示出了根据实施例的半导体器件的变形的横截面示意图；

图10示出了根据实施例的半导体器件的另一个变形的横截面示意图；

图11示出了根据实施例的半导体器件的又一个变形的横截面示意图；

图12示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；

图13示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；

图14示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；

图15示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；

图16示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；

图17示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；

图18示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图；和