[发明专利]一种沟槽型DMOS管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810224888.1 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728270A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王新强;方绍明;赵亚民;刘鹏飞;陈勇;陈洪宁;张立荣 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/205;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 dmos 及其 制备 方法 | ||
1.一种沟槽型DMOS管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；
在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；
所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。
2.根据权利要求1所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层具体为：
通过低压化学气相沉积法在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层。
3.根据权利要求1所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层具体为：
通过低压化学气相沉积法在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述衬底为掺杂了砷的硅层。
5.根据权利要求1至3任一项所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述衬底为掺杂了硼的硅层。
6.一种沟槽型DMOS管，其特征在于，包括：
在衬底上有与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；
在所述第一外延层上有与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；
所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。
7.根据权利要求6所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述衬底为掺杂了砷的硅层。
8.根据权利要求6或7所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层为掺杂了磷的硅层。
9.根据权利要求6所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述衬底为掺杂了硼的硅层。
10.根据权利要求6或9所述的沟槽型DMOS管，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层为掺杂了硼的硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
