[发明专利]一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构有效
| 申请号： | 200810239758.5 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101436636A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关 玲;贾玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 透明 导电 阴极 接触 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构，其特征在于：在n型硅上是一层氟化锂层，然后在氟化锂层上是透明导电电极，所述的透明导电电极的功函数大于所述的n型硅的功函数。
2.根据权利要求1所述的用于n型硅的透明导电阴极接触结构，其特征在于：所述的氟化锂层的厚度在0.5-2nm之间。
3.根据权利要求1或2所述的用于n型硅的透明导电阴极接触结构，其特征在于：所述的n型硅是n型的单晶硅或多晶硅或薄膜硅。
4.根据权利要求3所述的用于n型硅的透明导电阴极接触结构，其特征在于：所述的薄膜硅是非晶硅或微晶硅或纳米晶硅。
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