[实用新型]磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器有效
| 申请号： | 200820022995.1 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN201213091Y | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王学才;王珊;李俊英 | 申请（专利权）人： | 王学才 |
| 主分类号： | H01F27/34 | 分类号： | H01F27/34;H01F27/36;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/40 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 | 代理人： | 姜 明 |
| 地址： | 250014山东省济南市历*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁路 并联 屏蔽 可控 电抗 | ||
1.磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，包括铁芯和绕组，其特征在于铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的漏磁通形成自屏蔽，铁芯外套装绕组，绕组是由(L1)-(L6)组成，其中(L1)和(L5)线头并接，(L4)和(L6)线尾并接，(L1)、(L2)的中间接点接可控硅(4)的阳极形成整流电路，(L3)、(L4)的中间接点接可控硅(5)的阳极形成整流电路，(L2)的尾端、(L6)的首端、(L3)的首端、(L5)的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流二极管的正极并接。
2、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：绕组是由3个独立的绕组(L1)-(L3)组成，其中(L2)的两端并接可控硅组成整流电路，两只可控硅的阴极阳极相互并接绕组(L2)首端，可控硅的阴极阳极相互并接的另一端与绕组(L2)的末端接外接电源，绕组(L3)的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
3、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯沿主磁通方向左右相邻或前后相邻交错排列，饱和区域铁芯由较小的截面积或导磁率低的导磁材料或气隙构成。
4、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：在单相电上使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，采用的单框双柱式铁芯结构，芯柱主磁通方向相反，经过上下铁轭闭合形成磁回路。
5、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：在单相电上使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，采用的单框双柱带旁铁轭式铁芯结构，芯柱主磁通方向相同，各自经过旁铁轭闭合形成磁的回路。
6、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：在三相电上使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器采用的三框六柱式铁芯结构，芯柱主磁通方向相同，三相磁通矢量合成到上下铁轭形成磁的回路。
7、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：在三相电上使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，采用的三框六柱带旁铁轭式铁芯结构，芯柱主磁通方向相同，三相磁通矢量合成到上下铁轭及旁铁轭形成磁的回路。
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