[实用新型]收纳柜体结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种收纳柜体结构，特别是涉及一种可避免光掩膜盒因负压而无法开启，并可防止光掩膜盒内的光掩膜因瞬间强力气流而受污损的收纳柜体结构。

背景技术

近年来随着半导体工艺技术的日益不断进步，晶圆的尺寸已经由早期的3时、4时、6时、8时进展到12时，至于晶片上的集成电路的线径则不断的微细化，其线径则已发展至90～45奈米，因此在同一晶圆(Wafer)上的晶片(Die)数量也大幅增加，晶片的效能与价值也被提升，换言之，当工程中有不良品产生时，对于厂商的损失也大幅的扩大，因此如何进一步的提高制程优良率，是各半导体厂商不断思考的方向。

而影响其制程优良率的关键，除了无尘室中的微粒与操作上的失误之外，如光掩膜(Reticle，光掩膜即光罩，本文均称为光掩膜))表面附着有微粒、雾化等污损问题，则在大量重复曝光的黄光制程中，会不断的把这些错误复数于晶圆上，造成极大量的不良品。而目前光掩膜在制作、清洗、操作与储存、运输的过程中，不论是置于光掩膜盒或无尘室的环境中，均存在有不少的微粒、水气、气体、化学溶剂分子等有害物质，这些有害物质会附着于光掩膜的表面，且在经长时间储存或曝光工艺的加热后，会在光掩膜表面产生微粒附着、结晶、又或雾化等现象，这些现象均会造成晶圆优良率的降低，且增加清理与改善的时间，造成生产量降低，相对上也会提高营运的成本。

为了提高整体操作环境的洁净度，业界开发有如美国专利第US4,532,970号与美国专利第US4,534,389号等用于晶圆、光置的密闭移转系统，以确保周圆环境的微粒或有害物质不致进入紧邻光掩膜与晶圆的环境中。而由于光掩膜污损的原因除了微粒之外，更进一步包含环境中的水气、有毒气体、塑胶制光掩膜盒等所释出的硫化物和制作过程中的有害物质，其会造成雾化与结晶的现象，故为了解决这些问题，业界则开发有在光掩膜盒上加装充、填气的结构，可将干净的惰性气体注入该光掩膜盒内以挤出有害气体，同时进一步提升该光掩膜盒的气密性，以防止外部微粒进入、且防止干净的惰性气体流失，例如中国台湾专利公告第223680号及第I262164号等，其均是在通过该光掩膜盒结构的改变，来提高光掩膜盒的气密性，但是在结构上进行气密性的改良是一项重大的工程，不仅需要增加开发、制模与组装的成本，而且受到材质、盖合力与接触面积等因素的影响，其并无法达到完全气密的效果，因此本发明人先前曾开发出一种循环气流的光掩膜盒，通过同步注气与排气的循环气流，来保持光掩膜盒内部的洁净度。

但是在实际操作上，本发明人发现该光掩膜盒在同步进、排气时，可能因光掩膜盒内部的流道迂回曲折、且组件与光掩膜阻挡等因素影响，造成其进气量小于排气量的现象，如此将使光掩膜盒的内部空间与外部环境形成负压，如此当光掩膜盒在开启时，可能因负压的影响，无法有效、且顺利的开启光掩膜盒；再者，当光掩膜盒内部空间形成负压时，其在开启的瞬间，外部气流会产生一股瞬间向内流动的强力气流，该强力气流不仅会造成微粒与有害物质的扬起，且可能刮伤或附着于光掩膜表面的图形，影响到后续制程中的优良率。

由此可见，上述现有的光掩膜盒在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的收纳柜体结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的光掩膜盒存在的缺陷，本发明人则针对前述光掩膜盒在使用上所面临的问题深入探讨，并基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的收纳柜体结构，能够改进一般现有的光掩膜盒，藉以克服现有的光掩膜盒在充排气后容易因负压而形成的不便与困扰，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。

发明内容

本实用新型的目的在于，克服上述现有的光掩膜盒存在的缺陷，而提供一种新型的收纳柜体结构，所要解决的技术问题是使其可以让光掩膜盒在收纳柜体内充排气的过程中，可以避免光掩膜盒的内部产生负压，非常适于实用。

本实用新型的另一目的在于，提供一种新型的收纳柜体结构，所要解决的技术问题是使其可以防止光掩膜盒在开启时产生瞬间强力气流，以保护光掩膜的表面，从而更加适于实用。