[实用新型]300mm立式氧化炉微环境压力控制系统

说明书

技术领域

本实用新型属于一种硅片加工装置，具体的是一种用于硅片进行热氧化工艺的氧化炉的微环境压力控制系统，所述微环境即氧化炉内部的炉门及硅片传送区域的封闭空间。该系统通过控制氮气的流量和控制排气阀的开启使氧化炉内微环境压力保持设定值，从而提高氧化膜的加工质量。

背景技术

硅片是一种重要的半导体材料，它的加工工艺，特别是氧化工艺是一种对硅片所处的环境要求非常高的工艺。目前国内的硅晶片氧化炉大多是卧式结构的，对于硅片的装卸环境几乎无任何控制。因此，需要立式氧化炉来满足300mm硅片的工艺要求，本专利对氧化炉的工艺微环境的压力控制系统进行了较完善的设计。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术问题，提出一种300mm立式氧化炉微环境压力控制系统。该系统设计完善合理，工艺微环境的压力控制效果非常好。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：300mm立式氧化炉微环境压力控制系统，其特征在于：该系统设有风机，该风机的出气管与微环境连通，其进气管通过一个流量计MFC和一个自控阀门PV2与气源连通；风机还通过一个自控阀门PV1直接与气源连通，并通过一个自控阀门PV3与厂房总排气口连通；设有一个压力计与微环境连通，另外设有一个压差计，该压差计的进气管与微环境内的炉体排气口连通，其排气管与厂房总排气口连通；微环境还设有一个自控阀门PV4控制的排气管；所述自控阀门PV1、PV2、PV3、PV4与一个可编程控制器PLC控制连接；所述压力计和压差计与PLC信号连接。

本实用新型通过压力计对微环境内的压力进行实时监测，监测数据送给控制器PLC进行处理，控制器将根据设定值对流量计MFC和自控阀门PV2进行控制。当微环境压力过高时，控制自控阀门PV4直接将微环境内的气体排出；当微环境压力过低时，控制打开PV2，通过风机向微环境内吹入氮气。PV1是刚开机或者维修后再开机时，为微环境内充入氮气而设计的。压差计可以检测到炉体内的压力状况，PLC根据设定压力值与压差计数值进行比较，并通过控制阀门PV4的通、断，达到压力控制的目的。本实用新型具有结构完善，整体性强，控制灵活，压力控制效果好的优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明：实施例：参见附图，300mm立式氧化炉微环境压力控制系统，该系统设有风机1.1，该风机的出气管与微环境3连通，其进气管通过一个流量计MFC 1和一个自控阀门PV2 1.6与气源连通；风机还通过一个自控阀门PV1 1.5直接与气源连通，并通过一个自控阀门PV3 1.4与厂房总排气口连通；设有一个压力计1.2与微环境连通，另外设有一个压差计2.1，该压差计的进气管与微环境内的炉体排气口2连通，其排气管与厂房总排气口连通；微环境还设有一个自控阀门PV4 2.2控制的排气管；所述自控阀门PV1、PV2、PV3、PV4与一个可编程控制器PLC 1.3控制连接；所述压力计和压差计与PLC信号连接。