[发明专利]容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法

权利要求书

1.一种发光体，其特征在于，包括：

至少两个发光器件，所述发光器件由共用基底彼此机械连接，且所述发光 器件形成在所述共用基底上；

所述发光器件在所述共用基底上电互连以提供至少两个串联的并联发光 器件子组的阵列，每个子组包括至少三个发光器件；

横跨所述发光体的电压降至少是所述发光器件的一个的电压降的三倍。

2.一种发光体，其特征在于，包括：

来自发光器件的晶圆的邻近区域的至少两个发光器件，所述发光器件作为 串联的并联发光器件子组电连接在基底上，每个子组包括至少三个发光器件；

横跨所述发光体的电压降至少是所述发光器件的一个的电压降的三倍。

3.一种发光体，其特征在于，包括：

至少第一、第二、第三、第四、第五和第六固态发光器件，

所述第一固态发光器件包括第一n-型区域和第一p-型区域；

所述第二固态发光器件包括第二n-型区域和第二p-型区域；

所述第三固态发光器件包括第三n-型区域和第三p-型区域；

所述第四固态发光器件包括第四n-型区域和第四p-型区域；

所述第五固态发光器件包括第五n-型区域和第五p-型区域；

所述第六固态发光器件包括第六n-型区域和第六p-型区域；

所述第一n-型区域、第二n-型区域、第三n-型区域、第四n-型区域、第 五n-型区域和第六n-型区域中的每一个是单个单片集成电路n-型层的隔离区 域；

所述第一p-型区域、第二p-型区域、第三p-型区域、第四p-型区域、第 五p-型区域和第六p-型区域中的每一个是单个单片集成电路p-型层的隔离区 域；

所述第一固态发光器件的阳极端电连接到所述第二固态发光器件的阳极 端和所述第三固态发光器件的阳极端；

所述第一固态发光器件的阴极端电连接到所述第二固态发光器件的阴极 端和所述第三固态发光器件的阴极端；

所述第一固态发光器件的阴极端电连接到所述第四发光器件的阳极端；

所述第四固态发光器件的阳极端电连接到所述第五固态发光器件的阳极 端和所述第六固态发光器件的阳极端；

所述第四固态发光器件的阴极端电连接到所述第五固态发光器件的阴极 端和所述第六固态发光器件的阴极端。

4.根据权利要求2所述的发光体，其特征在于，所述至少两个发光器件 由晶圆的共用基底机械连接。

5.根据权利要求3所述的发光体，其特征在于：

所述第一固态发光器件的阳极端通过第一互连结构电连接到所述第二固 态发光器件的阳极端和所述第三固态发光器件的阳极端；

所述第一固态发光器件的阴极端通过第二互连结构电连接到所述第二固 态发光器件的阴极端和所述第三固态发光器件的阴极端；

所述第四固态发光器件的阴极端通过第三互连结构电连接到所述第五固 态发光器件的阴极端和所述第六固态发光器件的阴极端。

6.根据权利要求3所述的发光体，其特征在于：

所述第一固态发光器件的阳极端通过第一互连结构电连接到所述第二固 态发光器件的阳极端和所述第三固态发光器件的阳极端；

所述第一固态发光器件的阴极端通过第二互连结构电连接到所述第二固 态发光器件的阴极端和所述第三固态发光器件的阴极端；

所述第四固态发光器件的阳极端通过第三互连结构电连接到所述第五固 态发光器件的阳极端和所述第六固态发光器件的阳极端；

所述第二互连结构通过导电通孔电连接到所述第三互连结构。

7.根据权利要求3所述的发光体，其特征在于：

所述第一、第二、第三、第四、第五和第六固态发光器件位于固态发光器 件的第一阵列中，

所述发光体进一步包括固态发光器件的第二阵列，且

所述第一阵列和第二阵列以反并联的电连接关系配置。