[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法、以及平面显示装置

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，该基板具有基体材料和形成在该基体材料上的具有无定形硅膜的薄膜晶体管，其中，在所述无定形硅膜上具有硅氧化物层，并且，在硅氧化物层上层压有有机保护膜。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，硅氧化物层的厚度在5nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其中，硅氧化物层是经过了甲硅烷基化的硅氧化物层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的有源矩阵基板，其中，有机保护膜是由具有极性基团的环状烯烃类聚合物的交联体制成的膜。

5.一种制造权利要求1所述的有源矩阵基板的方法，该制造方法包括下述步骤：

(1)对形成于基体材料上的薄膜晶体管的无定形硅膜A的表面进行氧化，从而在无定形硅膜α上形成硅氧化物层；以及

(2)通过幅射敏感性树脂组合物在硅氧化物层上形成有机保护膜。

6.根据权利要求5所述的制造有源矩阵基板的方法，其中，通过选自下组中的至少1种方法进行步骤(1)中对无定形硅膜A表面的氧化：与臭氧水接触、在氧化性气体氛围中进行紫外线照射、在氧化性气体氛围中进行加热、以及暴露在含有氧化性气体的等离子体中。

7.根据权利要求5或6所述的制造有源矩阵基板的方法，其中，利用湿法进行步骤(2)。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的制造有源矩阵基板的方法，其中，辐射敏感性树脂组合物中含有具有极性基团的环状烯烃类聚合物、交联剂、辐射敏感性化合物及溶剂。

9.一种平面显示装置，其具有权利要求1～4中任一项所述的有源矩阵基板。