[发明专利]用于集成电路封装件的多步骤成型方法和装置有效
申请号: | 200880008895.6 | 申请日: | 2008-02-11 |
公开(公告)号: | CN101681894A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | R·W·恩格尔;N·夏尔马;W·P·泰勒 | 申请(专利权)人: | 阿莱戈微系统公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;G01P1/02;G01D5/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张文达 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 封装 步骤 成型 方法 装置 | ||
1.一种集成电路装置,其包括:
至少一个裸晶,其连接到具有引线指状部的引线框架上;
接合引线,其在至少一个裸晶和引线指状部之间进行连接;
第一成型材料,其在第一压力下注射以防止接合引线发生引线偏斜,用于封装着接合引线并覆盖着至少一个裸晶和引线指状部的至少一部分,其中第一成型材料仅位于引线框架的裸晶侧且包覆成型着连接到至少一个裸晶上的所有接合引线;以及
具有第一侧和第二侧的集中器,其中集中器的第一侧紧固到引线框架的非裸晶侧;
紧固到集中器的第二侧上的磁体;
第二成型材料,其在大于第一压力的第二压力下进行注射,用于对至少一个裸晶、第一成型材料、集中器和磁体进行包覆成型。
2.如权利要求1所述的装置,其中第一成型材料封装着引线框上的至少一个裸晶。
3.如权利要求1所述的装置,其中第一成型材料的膨胀系数与磁体的膨胀系数相兼容。
4.如权利要求1所述的装置,其中第一成型材料和第二成型材料是不同的。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述裸晶包括一个或多个磁场传感器。
6.如权利要求5所述的装置,其中所述磁场传感器包括霍尔元件。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述接合引线包括金线。
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