[发明专利]用于集成电路封装件的多步骤成型方法和装置有效

专利信息
申请号: 200880008895.6 申请日: 2008-02-11
公开(公告)号: CN101681894A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: R·W·恩格尔;N·夏尔马;W·P·泰勒 申请(专利权)人: 阿莱戈微系统公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;G01P1/02;G01D5/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 张文达
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成电路 封装 步骤 成型 方法 装置
【说明书】:

背景技术

在现有技术中公知地,集成电路(IC)包括引线框以支承着裸晶(die,或裸芯片)且为IC封装件提供外部连接结构。例如,裸晶和引线框指状部之间的连接结构可由接合引线来制成。对于塑料封装件而言,引线框/裸晶组件由塑料材料来包覆成型。 

在一种传统的封装件中,传感器包括具有背侧部的、所谓K型组件,其中磁体连接到所述背侧部上。连接有磁体的所述组件被模制或包裹到传感器壳体中。在一个公知的方法中,裸晶被连接到引线框上,通量集中器(flux concentrator)和/或磁体被连接,且所述组件被包覆成型。 

在成型过程中,相对纤细的接合引线可能会由于塑料的受压流动而断裂。此外,接合引线的易断性也限制了成型过程的效率。 

发明内容

本发明提供了用于集成电路的方法和装置,其具有被施加的第一成型材料以保护位于裸晶和引线指之间的接合引线连接结构,以及具有被施加在第一成型材料上的第二成型材料。通过利用第一成型材料来保护接合引线,使得可以使用相对高的压力来施加第二成型材料。利用这种结构,由于接合引线受到的损坏较少而提高了产量。尽管本发明主要参考传感器集成电路来显示和描述,但是可以理解本发明也可应用于一般的集成电路,其用于保护纤细的连接件免受裸晶的损害。 

根据本发明的一个方面,本发明涉及一种方法,其包括:将裸晶连接到具有引线指状部的引线框架上;将接合引线连接到裸晶和引线指状部之间;在接合引线、裸晶、引线指状部的至少一部分上施加第一成型材料,以形成组件;等待直至第一成型材料至少部分地硬化;以及在所形成的组件上施加第二成型材料。 

上述方法还进一步包括以下的一个或多个特征:仅在引线框的裸晶侧施加成型材料;施加第一成型材料以封装着接合引线;施加第一成型材料 以在引线框上封装着裸晶;至少部分地基于与磁体的膨胀系数的相似性,来选择第一成型材料所用的材料;第一成型材料和第二成型材料是不同的;至少部分地基于填充料的尺寸,来选择用于第一成型材料和/或第二成型材料所用的材料;在某一压力下施加第二成型材料,其中施加第二成型材料所用的压力显著地高于施加第一成型材料所用的压力;所述裸晶包括一个或多个霍尔元件;将集中器连接到组件上;所述接合引线包括金线。 

本发明的另一方面涉及一种集成电路装置,其包括:裸晶,其连接到具有引线指状部的引线框架上;接合引线,其连接到裸晶和引线指状部之间;第一成型材料,其覆盖着接合引线、裸晶、引线指状部的至少一部分,以形成组件;以及第二成型材料,其对所述组件进行包覆成型。 

上述装置还进一步包括以下的一个或多个特征:第一成型材料仅位于引线框的裸晶侧;第一成型材料封装着接合引线;第一成型材料封装着引线框上的裸晶;第一成型材料的膨胀系数与磁体的膨胀系数相兼容;第一成型材料和第二成型材料是不同的;所述裸晶包括一个或多个霍尔元件;所述接合引线包括金线。 

附图说明

通过以下的详细说明以及附图,将更加完全地理解本发明所包含的示例性实施例,其中: 

图1是示例性集成电路的示意图,其包括根据本发明示例性实施例的多步骤成型过程。 

图1A是图1的集成电路的示意立体图。 

图2A是示例性集成电路的透视俯视图,其包括根据本发明示例性实施例的多步骤成型过程。 

图2B是图2A的集成电路的透视侧部线条图。 

图3是示例性集成电路的局部透视立体图,其包括根据本发明示例性实施例的多步骤成型过程。 

图4是流程图,显示了示例性步骤顺序,以实现根据本发明示例性实施例的集成电路所用的多步骤成型过程。 

图5是具有接合引线的集成电路传感器的示意立体图,所述集成电路传感器由第一成型材料所防护,以形成由第二成型材料所包覆成型的组件。 

具体实施方式

图1显示了作为传感器的示例性集成电路(IC)100,其由根据本发明示例性的多步骤成型过程而制造。在示例性实施例中,传感器100是齿轮齿传感器,以探测在齿轮12上的齿10的移动。总体而言,第一成型步骤用来防护接合引线。在第一成型工艺完成之后,实行第二成型步骤以完成最终的封装结构。 

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