[发明专利]清洗由太阳能蚀刻浆料制造的太阳能电池表面开口的方法

权利要求书

1.一种用于形成背接触的方法，包括：

在厚度为50～200微米的薄硅晶片的掺杂基板上形成扩散层，其中所 述硅晶片具有前表面和背表面；

在所述硅晶片的背表面上形成旋涂介电层；

在所述旋涂介电层上形成阻挡层；

对所述阻挡层的1～10％的表面区域施加蚀刻浆料；

在300～380摄氏度的温度下对所述蚀刻浆料进行第一热处理，其中所 述第一热处理实施30～45秒，其中所述蚀刻浆料蚀刻穿透所述阻挡层和所 述旋涂介电层的至少一部分；

利用含氢氟酸的溶液从开口移除残留物，以及

通过所述开口形成接触。

2.权利要求1的方法，其中通过所述开口形成接触还包括：

在所述第一热处理之后，对所述硅晶片的背表面施加接触浆料。

3.权利要求2的方法，其中所述接触浆料是含1～12原子％的硅的铝浆 料。

4.权利要求2的方法，还包括：

在700～900摄氏度的峰值温度下对所述接触浆料进行第二热处理。

5.权利要求4的方法，其中所述第二热处理在所述峰值温度下实施1～3 秒。

6.权利要求1的方法，还包括：

利用Device Simulation for Smart Integrated System(DESSIS)来确 定对所述介电层的部分表面区域施加蚀刻浆料。

7.权利要求6的方法，还包括：

将参数输入DESSIS以确定蚀刻浆料施加，其中所述参数包括发射体 片电阻、电池厚度、电阻率、前表面复合速率、介电层处的背表面复合速 率以及接触电阻。

8.权利要求7的方法，其中所述发射体片电阻为70～90欧姆每平方，所 述电池厚度为90～200微米，所述电阻率为1.5～2.5欧姆-厘米，所述前表 面复合速率为50000～70000厘米每秒，所述介电层处的背表面复合速率为 40～60厘米每秒且所述接触电阻是零欧姆-平方厘米。

9.一种用于形成后接触的方法，包括：

在厚度为50～200微米的薄硅晶片的掺杂基板上形成扩散层，其中所 述硅晶片具有前表面和背表面；

在所述硅晶片的背表面上形成旋涂介电层；

在所述旋涂介电层上形成阻挡层；

对所述阻挡层的1～10％的表面区域施加蚀刻浆料；

在300～380摄氏度的温度下对所述蚀刻浆料进行第一热处理，其中所 述蚀刻浆料蚀刻穿透所述阻挡层和所述旋涂介电层的至少一部分；

利用含氢氟酸的溶液从开口移除残留物；

在所述第一热处理之后，对所述硅晶片的背表面施加接触浆料；以及

在700～900摄氏度的峰值温度下对所述接触浆料进行第二热处理，其 中所述第二热处理在所述峰值温度下实施1～3秒。

10.权利要求9的方法，其中所述第一热处理实施30～45秒。

11.权利要求9的方法，其中所述接触浆料是含1～12原子％的硅的铝浆 料。

12.权利要求9的方法，还包括：

利用Device Simulation for Smart Integrated System(DESSIS)来确 定对所述介电层的部分表面区域施加蚀刻浆料。

13.权利要求12的方法，还包括

将参数输入DESSIS以确定蚀刻浆料施加，其中所述参数包括发射体 片电阻、电池厚度、电阻率、前表面复合速率、介电层处的背表面复合速 率以及接触电阻。

14.权利要求13的方法，其中所述发射体片电阻为70～90欧姆每平方， 所述电池厚度为90～200微米，所述电阻率为1.5～2.5欧姆-厘米，所述前 表面复合速率为50000～70000厘米每秒，所述介电层处的背表面复合速率 为40～60厘米每秒且所述接触电阻是零欧姆-平方厘米。