[发明专利]抑制因切割和BEOL处理引起的IC器件损伤的方法

权利要求书

1.一种半导体产品，其包括：

半导体衬底(12)，其具有顶表面(18)和底表面(19)且包括半 导体芯片(10A/10B)；

所述半导体衬底(12)具有顶表面(18)和周界(110)；

阻挡结构(50B)，其形成于所述周界(110)内的所述芯片(10A/10B) 中；以及

沟槽切口(60B)，其向下延伸穿过所述周界(110)与所述阻挡结 构(50B)之间的所述半导体芯片(10A/10B)的所述顶表面(18)，并且 所述沟槽切口(60B)至少部分延伸穿过所述半导体衬底(12)；

模制化合物或底填层(140)形成在所述产品之上，所述模制化合物 或底填层(140)填充所述沟槽切口。

2.根据权利要求1的半导体产品，包括：

半导体器件，其形成于在所述产品中和所述芯片(10A/10B)中；

互连层(15)，其形成在所述半导体衬底(12)之上，其中所述互连 层(15)包含介电层、互连线和过孔；

所述沟槽切口形成围绕所述阻挡结构的框架。

3.根据权利要求2的半导体产品，其中从所述衬底(12)形成所述半 导体芯片(10A/10B)，

具有所述互连层(15)的所述半导体芯片(10A/10B)形成在所述半 导体衬底(12)的所述顶表面(18)之上；

所述半导体芯片(10A/10B)和所述互连层(15)具有周界(110)；

所述阻挡结构(50B)包括的边缘选自止裂件阻挡结构(50B)和所述 周界(110)上的切割边缘；以及

所述沟槽切口(60B)向下延伸到所述周界(110)上的所述切割边缘 与所述阻挡结构(50B)之间的所述半导体芯片(10A/10B)中。

4.根据权利要求2的半导体产品，其中所述互连层(15)从所述沟槽 切口(60B)外侧向下凹陷到所述衬底(12)。

5.根据权利要求2、3或4的半导体产品，其中：

所述阻挡结构(50B)延伸穿过所述互连层(15)且至少与所述半导 体衬底(12)接触。

6.根据权利要求2、3、4的半导体产品，所述模制化合物或底填层(140) 覆盖所述互连层(15)。

7.根据权利要求1、2、3、4的半导体产品，其中：

所述沟槽切口(60B)相对于所述衬底(12)的所述顶表面(18)横 向地分隔；以及

所述沟槽切口(60B)延伸穿过且进入所述衬底(12)的所述顶表面 (18)，并且与所述芯片(10A/10B)的所述周界(110)分隔。

8.根据权利要求2、3、4的半导体产品，其中在所述沟槽切口(60B) 的外侧，所述互连层(15)向下凹陷到所述衬底(12)。

9.根据权利要求1、2、3、4的半导体产品，其中所述沟槽切口(60E) 具有底部，所述底部具有向外展开的槽沟(120)。

10.根据权利要求1、2、3、4的半导体产品，其中多个沟槽切口(60B， 61B，62B)依照沟槽切口(60B，61B，62B)横向尺寸渐增的顺序一个嵌 套在另一个内侧地形成，并且切入位于所述周界(110)与所述阻挡结构 (50B)之间且围绕所述阻挡结构(50B)的所述半导体芯片(10A/10B) 的所述顶表面(18)中。

11.根据权利要求1、2、3、4的半导体产品，其中所述沟槽切口(60B) (60B，61B，62B)相对于所述顶表面(18)倾斜一角度。

12.根据权利要求2、3、4的半导体产品，其中所述互连层(15)包 括低k介电材料。

13.根据权利要求2、3、4的半导体产品，其中所述互连层(15)包 括低k介电材料，所述低k介电材料包括多孔的氢化氧碳化硅(pSiCOH)。