[发明专利]ESD保护电路有效
申请号: | 200880021181.9 | 申请日: | 2008-06-18 |
公开(公告)号: | CN101689545A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 本诺·克拉本博格;马尔科·贝尔库特;约翰内斯·范茨沃尔 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | esd 保护 电路 | ||
1.一种电路,包括
第一电源线(VDD)、第二电源线(VSS)、以及连接在第一电源线(VDD) 和第二电源线(VSS)之间的ESD保护装置;
至少一个引脚(VA),其通过二极管(D1,D2)被连接到第一电源线 (VDD)和第二电源线(VSS);以及
触发电路(1),其被连接到至少一个引脚(VA)并适于提供引脚特定 触发电压;
其中通过由触发电压设置电路(RP,RD,Z1,Z2,Z3)设置的触发 电压能够控制ESD保护装置,其中触发电路(1)还被连接到触发电压 设置电路(RP,RD,Z1,Z2,Z3),
其中触发电路(1)包括:电子开关装置(MNA,MNP),它们能够由施 加到所述至少一个引脚(VA)的电压来控制,其中电子开关装置(MNA, MNP)并联到触发电压设置电路的部分;以及至少一个齐纳二极管(Z4, Z5),齐纳二极管(Z4,Z5)串联到电子开关装置和触发电压设置电路。
2.根据权利要求1所述的电路,其中触发电压设置电路中并联了 电子开关装置的部分包括至少一个齐纳二极管(Z1,Z2,Z3)。
3.根据权利要求1所述的电路,其中电子开关装置(MNA,MNP) 被配置为MOS晶体管,并且所述电子开关装置(MNA,MNP)包括第 一开关装置(MNA)和第二开关装置(MNP)。
4.根据权利要求3所述的电路,其中第一开关装置(MNA)的晶体 管漏极(D)被连接到第一电源线(VDD),并且其中栅极(G)被连接到至少 一个引脚(VA),该引脚(VA)经二极管(D1,D2)连接到第一电源线(VDD) 和第二电源线(VSS),并且其中源极(S)被连接到齐纳二极管(Z4)的阴 极,而该齐纳二极管(Z4)的阳极被连接到触发电压设置电路的齐纳二 极管(Z1,Z2)之间的接头。
5.根据权利要求3所述的电路,其中第二开关装置(MNP)的晶体管 漏极(D)被连接到ESD保护装置(MP)的电阻(RD),晶体管栅极(G)被连 接到引脚(VA),并且晶体管源极(S)被连接到齐纳二极管(Z5)的阳极, 而该齐纳二极管(Z5)的阴极被连接到触发电压设置电路的齐纳二极管 (Z2,Z3)之间的接头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的