[发明专利]导电纳米膜及使用该导电纳米膜的微机电系统传感器

权利要求书

1.一种MEMS传感器，其包括：

设置有开口的基片；

导电纳米膜，形成于所述设置有开口的基片上，所述导电纳米膜 包括：下部聚合物电解质膜；和形成于所述聚合物电解质膜上的碳纳 米管层，碳纳米管的网络形成于所述碳纳米管层中；

上板，设置于所述导电纳米膜上，通过间隔物与所述导电纳米膜 隔开；

设置在所述基片下面的下板；以及

上电极，形成于所述上板下面，与所述导电纳米膜的上表面隔开。

2.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中，所述导电纳米膜 通过所述间隔物的开口而暴露。

3.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中，根据被感测的对 象，将所述微机电系统传感器形成为压力传感器、湿度传感器、温度 传感器，接触式传感器或者生化传感器。

4.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中，所述导电纳米膜 还包括形成于所述碳纳米管层上的上部聚合物电解质膜。

5.如权利要求4所述的MEMS传感器，其中，所述下部和上部 聚合物电解质膜分别由选自PAH、PSS、PVP、PAA、PPy、PANI、 PTs和PEDOT的组中的任一种树脂形成。

6.如权利要求4所述的MEMS传感器，其中，所述碳纳米管层 的碳纳米管用羧基和羟基官能化，且通过在水溶液中从所述碳纳米管 层中释放的氢离子带负电荷。

7.如权利要求6所述的MEMS传感器，其中，所述下部聚合物 电解质膜通过交替地堆叠PAH和PSS形成，且与所述碳纳米管层接 触的最上层由PAH形成。

8.如权利要求6所述的MEMS传感器，其中，所述上部聚合物 电解质膜通过交替地堆叠PAH和PSS形成，且与所述碳纳米管层接 触的最底层由PAH形成。

9.如权利要求4所述的MEMS传感器，其中，所述下部和上部 聚合物电解质膜通过浸渍自组装法或自旋辅助自组装法形成。

10.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中，所述导电纳米 膜还包括由选自铜、金、银和铂的组的任一种形成的上层金属层。