[发明专利]辐射发射体及制造辐射发射体的方法有效
| 申请号： | 200880122953.8 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101911319A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | F·埃伯哈德;R·温迪希;R·沃尔特;M·施马尔;M·阿尔斯泰特 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;李家麟 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 发射 制造 方法 | ||
1.一种辐射发射体，包括
-层序列，
-具有用于生成电磁辐射的活性层(10)，
-具有反射所生成的辐射的反射层(50)，和
-具有至少一个布置在所述活性层(10)和所述反射层(50)之间的中间层(40)，其中
所述活性层(10)在朝向反射层(50)的界面(15)上具有不平整结构，并且所述反射层(50)在朝向活性层(10)的界面(45)处基本上是平坦的。
2.按照权利要求1的辐射发射体，其中所述中间层(40)对于所生成的辐射来说是可透射的。
3.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述中间层(40)具有与活性层(10)的折射率不同的折射率。
4.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述不平整结构包括具有许多凸出的结构元素(30)的横向结构(20)。
5.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述辐射发射体是薄膜半导体。
6.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述结构元素(30)具有包括所生成辐射的0.1倍波长至10倍波长的结构尺寸。
7.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述反射层(50)含有金属或者被构造为金属层。
8.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述反射层(50)直接与中间层(40)邻接。
9.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述反射层(50)与中间层(40)形状啮合地相连接。
10.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述中间层(40)含有介电材料。
11.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述中间层(40)含有导电的材料。
12.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述中间层(40)直接与活性层(10)邻接。
13.按照以上权利要求之一的辐射发射体，其中所述活性层(10)与中间层(40)形状啮合地相连接。
14.一种用于制造辐射发射体的方法，用以下步骤来进行：
-在衬底上构造层序列，所述层序列具有用于生成电磁辐射的活性层(10)，
-使所述活性层(10)的界面(15)不平整，
-构造至少一个中间层(40)，和
-构造反射层(50)。
15.按照前一权利要求的方法，其中制造根据权利要求1至13之一的辐射发射体。
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