[发明专利]一种含镁钕钴镍锰的高熵纳米磁性材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910039225.7 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101560671A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 童叶翔;张鹏;刘萌;叶剑清;李高仁;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C25C1/24 | 分类号： | C25C1/24;H01F1/053 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 陈 卫 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含镁 钕钴镍锰 纳米 磁性材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种含镁钕钴镍锰的高熵纳米磁性材料的制备方法，其特征在于包含以下步骤：
(1)配制含镁离子、钕离子、钴离子、镍离子和锰离子的有机体系溶液；
(2)加入支持电解质，以铜基体或钛基体作为工作电极，外加电场进行电沉积即得。
2、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中，所述镁离子或钕离子的摩尔浓度控制在0.01mol/L至0.1mol/L之间。
3、根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中，除镁离子和钕离子外，其他任意金属离子的摩尔浓度控制在0.002mol/L至0.05mol/L之间。
4、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中，所述支持电解质为惰性电解质。
5、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中，所述外加电场是以Ag/AgCl电极为参比电极，电沉积的电位介于-2.2V至-2.7V之间。
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